[发明专利]制作工艺系统与清洗方法无效
申请号: | 201010229140.8 | 申请日: | 2010-07-14 |
公开(公告)号: | CN102339728A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 罗际诚;郭绍骏;陈庆汶;苏炎辉 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制作 工艺 系统 清洗 方法 | ||
1.一种制作工艺系统,其特征在于,包括:
一生产机台,适于使用一化学溶液处理一晶圆;
一浓度测定装置,用以测定处理过该晶圆的该化学溶液中至少一关键成分的浓度;以及
一补偿装置,用以在该浓度测定装置所测定的该关键成分的浓度低于一定值时,提供一具有一补偿量的补充液至该生产机台中,其中该补充液含有与该关键成分相同的成分。
2.根据权利要求1所述的制作工艺系统,其中该化学溶液包括去光刻胶液,该关键成分包括水。
3.根据权利要求1所述的制作工艺系统,其中该化学溶液包括清洗液,该关键成分包括NH4OH或H2O2或其二者。
4.根据权利要求1所述的制作工艺系统,更包括一过滤装置,用以过滤处理过该晶圆的该化学溶液中的杂质。
5.根据权利要求4所述的制作工艺系统,更包括一回流装置,用以将过滤后的该化学溶液输送回该生产机台。
6.根据权利要求5所述的制作工艺系统,其中该浓度测定装置设置于适于测定该回流装置中或是该生产机台中的该化学溶液中的该关键成分的浓度。
7.根据权利要求6所述的制作工艺系统,其中该生产机台包括一处理槽且该回流装置包括:
一外槽,设置于该处理槽外围;
一输送管路,与该外槽连通,用以将外槽的该化学溶液输送回该处理槽;以及
一动力装置,用以提供动力给该化学溶液。
8.根据权利要求7所述的制作工艺系统,其中该浓度测定装置设置于适于测定处理槽、该外槽或该输送管路中的该化学溶液中的该关键成分的浓度。
9.根据权利要求7所述的制作工艺系统,其中该补偿装置用以将该补充液输送至该外槽中,再经由该输送管路输送至该生产机台中。
10.根据权利要求7所述的制作工艺系统,其中该回流装置还包括一温度控制器,设置于该输送管路周围,用以控制该化学溶液的温度。
11.一种清洗方法,该方法使用一化学溶液处理一晶圆,该方法包括:
测定制作工艺中或制作工艺后的该化学溶液中至少一关键成分的浓度;以及
当所测定的该关键成分的浓度低于一定值时,添加一补充液,其含有与该关键成分相同的成分,使该化学溶液中的该关键成分浓度达到该定值或该定值以上。
12.根据权利要求11所述的清洗方法,其中该化学溶液包括去光刻胶液,该关键成分包括水。
13.根据权利要求11所述的清洗方法,其中该化学溶液包括清洗液,该关键成分包括NH4OH或H2O2或其二者。
14.根据权利要求11所述的清洗方法,更包括重复前述测定该化学溶液以及添加该补充液的步骤数次之后,更新该化学溶液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造