[发明专利]制作工艺系统与清洗方法无效

专利信息
申请号: 201010229140.8 申请日: 2010-07-14
公开(公告)号: CN102339728A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 罗际诚;郭绍骏;陈庆汶;苏炎辉 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/66
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 制作 工艺 系统 清洗 方法
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种制作工艺系统与清洗方法。

背景技术

在半导体制作工艺中,晶圆的洁净度是影响制作工艺良率元件质量以及可靠度极为重要的因素。在晶圆洗净的过程中,经常会使用化学溶液来清洗。化学溶液中的配方可能会因为消耗或是挥发而随着使用的时间逐渐改变,以致制作工艺容许度(process window)随之变小。通常,必须通过经常更换新的化学溶液来维持洗净的质量,进而稳定工艺的条件。然而,此种做法不仅必须耗费相当高的材料成本,而且也不够环保。因此,提供适当的化学浓度溶液的浓度并且兼顾环保层面是目前亟需研究的课题。

发明内容

本发明提出一种制作工艺系统,其可以用来清洗晶圆,提升制作工艺的容许度。

本发明提出一种制作工艺系统,其可以用来清洗晶圆,延长化学溶液更新的时间,降低化学溶液的使用量,减少成本。

本发明提出一种清洗方法,其提升制作工艺的容许度。

本发明提出一种清洗方法,其可以延长化学溶液更新的时间,降低化学溶液的使用量,减少成本。

本发明提出一种制作工艺系统,包括生产机台、浓度测定装置以及补偿装置。生产机台,适于使用化学溶液处理晶圆。浓度测定装置,用以测定处理过上述晶圆的上述化学溶液中至少一关键成分的浓度。补偿装置,用以在上述浓度测定装置所测定的上述关键成分的浓度低于一定值时,提供具有一补偿量的补充液至上述生产机台中,其中上述补充液具有与上述关键成分相同的成分。

依照本发明一实施例所述,上述化学溶液包括去光刻胶液,上述关键成分包括水。

依照本发明一实施例所述,上述化学溶液包括清洗液,上述关键成分包括NH4OH或H2O2或其二者。

依照本发明一实施例所述,上述的制作工艺系统更包括一过滤装置,用以过滤处理过上述晶圆的上述化学溶液中的杂质。

依照本发明一实施例所述,上述制作工艺系统,更包括一回流装置,用以将过滤后的上述化学溶液输送回上述生产机台。

依照本发明一实施例所述,上述浓度测定装置设置于适于测定上述回流装置中或是该生产机台中的上述化学溶液中的上述关键成分的浓度。

依照本发明一实施例所述,上述生产机台包括一处理槽,且上述回流装置包括外槽、输送管路以及动力装置。外槽设置于上述处理槽外围。动力装置用以提供动力该化学溶液。输送管路,与上述外槽连通,用以将外槽中的化学溶液输送回上述处理槽。

依照本发明一实施例所述,上述浓度测定装置设置于适于测定处理槽、上述外槽或上述输送管路中的上述化学溶液中的上述关键成分的浓度。

依照本发明一实施例所述,上述补偿装置用以将上述补充液输送至上述外槽中,再经由上述输送管路输送至上述生产机台中。

依照本发明一实施例所述,上述回流装置还包括一温度控制器,设置于上述输送管路周围,用以控制上述化学溶液的温度。

本发明还提出一种清洗方法,此方法使用化学溶液处理晶圆,此上述方法包括测定制作工艺中或制作工艺后的上述化学溶液中至少一关键成分的浓度,当上述关键成分的浓度低于一定值时,添加一补充液,其含有与前述关键成分相同的成分,使上述化学溶液中的上述关键成分浓度达到上述定值或上述定值以上。

依照本发明一实施例所述,上述化学溶液包括去光刻胶液,上述关键成分包括水。

依照本发明一实施例所述,上述化学溶液包括清洗液,上述关键成分包括NH4OH或H2O2或其二者。

依照本发明一实施例所述,上述清洗方法,更包括在进行制作工艺一段时间之后,更新上述化学溶液。

依照本发明实施例所述,上述制作工艺系统可以用来清洗晶圆,提升制作工艺的容许度。

依照本发明实施例所述,上述制作工艺系统可以用来清洗晶圆,延长化学溶液更新的时间,降低化学溶液的使用量,减少成本。

依照本发明实施例所述,上述清洗制作工艺可以提升制作工艺的容许度。

依照本发明实施例所述,上述清洗制作工艺可以延长化学溶液更新的时间,降低化学溶液的使用量,减少成本。

为让本发明之上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1为依照本发明实施例所绘示的一种制作工艺系统的示意图。

【主要元件符号说明】

2:晶圆

10:生产机台

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