[发明专利]太阳电池及其制造方法无效
申请号: | 201010230355.1 | 申请日: | 2010-07-14 |
公开(公告)号: | CN101958352A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 傳田敦;斋藤广美 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;周春燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳电池,其通过串联连接多个电池单元而构成,所述电池单元具备基板、形成于前述基板上的第1电极层、形成于前述第1电极层上的半导体层和形成于前述半导体层上的第2电极层,其特征在于:
在前述基板上,设置有按每一前述电池单元划分前述第1电极层的绝缘性的第1划分部;
前述第1电极层设置于通过前述第1划分部所划分的区域。
2.根据权利要求1所述的太阳电池,其特征在于:
前述第1划分部的顶部面与前述第1电极层的顶部面是相同的高度。
3.一种太阳电池,其通过串联连接多个电池单元而构成,所述电池单元具备基板、形成于前述基板上的第1电极层、形成于前述第1电极层上的半导体层和形成于前述半导体层上的第2电极层,其特征在于:
在前述第1电极层上,设置有按每一前述电池单元划分前述半导体层及前述第2电极层的绝缘性的第2划分部;
前述半导体层及前述第2电极层设置于通过前述第2划分部所划分的区域。
4.根据权利要求3所述的太阳电池,其特征在于:
在与前述第2划分部相邻的区域,设置有将前述第1电极层与前述第2电极层连通的槽部,在前述槽部,形成有前述第2电极层。
5.根据权利要求3所述的太阳电池,其特征在于:
在与前述第2划分部相邻的区域,设置有将前述第1电极层与前述第2电极层电连接的导电层。
6.根据权利要求5所述的太阳电池,其特征在于:
前述导电层由电阻率比前述第1电极层及前述第2电极层低的材料形成。
7.一种太阳电池的制造方法,所述太阳电池通过串联连接多个电池单元而构成,所述电池单元具备基板、第1电极层、半导体层和第2电极层,其特征在于,该制造方法包括:
第1划分部形成工序,其在前述基板上,形成按每一前述电池单元划分前述第1电极层的形成区域的第1划分部;
第1电极层形成工序,其在通过前述第1划分部所划分的区域,形成前述第1电极层;
第2划分部形成工序,其在前述第1电极层上,形成按每一前述电池单元划分前述半导体层及前述第2电极层的形成区域的第2划分部;
半导体层形成工序,其在通过前述第2划分部所划分的区域,形成前述半导体层;
槽部形成工序,其在厚度方向上除去前述半导体层的一部分,形成到达前述第1电极层的槽部;以及
第2电极层形成工序,其在通过前述第2划分部所划分的区域,在前述半导体层上及前述槽部形成前述第2电极层。
8.根据权利要求7所述的太阳电池的制造方法,其特征在于:
在前述槽部形成工序中,在与前述第2划分部相邻的区域形成前述槽部。
9.一种太阳电池的制造方法,所述太阳电池通过串联连接多个电池单元而构成,所述电池单元具备基板、第1电极层、半导体层和第2电极层,其特征在于,该制造方法包括:
第1划分部形成工序,其在前述基板上,形成按每一前述电池单元划分前述第1电极层的形成区域的第1划分部;
第1电极层形成工序,其在通过前述第1划分部所划分的区域,在前述基板上形成前述第1电极层;
第2划分部形成工序,其在前述第1电极层上,形成按每一前述电池单元划分前述半导体层及前述第2电极层的形成区域的第2划分部;
导电层形成工序,其在通过前述第2划分部所划分的区域,在前述第1电极层上,形成将前述第1电极层与前述第2电极层电连接的导电层;
半导体层形成工序,其在通过前述第2划分部所划分的区域,在前述第1电极层上形成前述半导体层;以及
第2电极层形成工序,其在通过前述第2划分部所划分的区域,在前述半导体层上形成前述第2电极层。
10.根据权利要求9所述的太阳电池的制造方法,其特征在于:
在前述导电层形成工序中,以与前述第2划分部相邻的方式形成前述导电层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010230355.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:测量仪器的自动校准
- 下一篇:一种乳酸菌细胞壁裂解物的制备方法和用途
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的