[发明专利]太阳电池及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳电池及其制造方法。

背景技术

太阳电池将光能转换为电能，其依所使用的半导体而被提出了各种类型的结构。近年来，制造工序简单且能够期待高的转换效率的CIGS型的太阳电池备受关注。CIGS型的太阳电池通过串联连接多个电池单元而构成，一个电池单元例如由形成于基板上的第1电极膜、形成于第1电极膜上的包括化合物半导体(铜-铟-镓-硒化合物)层的薄膜和形成于该薄膜上的第2电极膜构成。第1电极膜通过在第1电极膜的一部分形成槽而按每一电池单元被分割，以跨相邻的电池单元间的方式形成。此外，薄膜及第2电极膜通过在薄膜及第2电极膜的一部分形成到达第1电极膜的槽而按每一电池单元被分割。进而，在薄膜的一部分设置到达第1电极膜的槽，通过在该槽内形成第2电极膜而将第1电极膜与第2电极膜电连接。由此，各电池单元的第2电极膜与相邻的其他电池单元的第1电极膜相连接，各电池单元彼此串联连接(例如，参照专利文献1)。

【专利文献1】特开2002-319686号公报

上述太阳电池中的用于按各电池单元进行分割的槽，通过采用激光照射和/或金属针等对第1电极膜或第2电极膜及薄膜的一部分进行划线处理而形成。在此，在形成上述各槽时，需要密切的注意，以便对于其他部件在质量方面不会产生不良状况。因此，除了形成槽的划线区域之外，还需要考虑加工上的偏差量，确保进一步宽幅的区域。可是，由于占用上述宽幅的区域，会存在对太阳电池的功能不起作用的非发电区域增大、转换效率下降的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述问题的至少一部分而提出的，其可以作为以下的方式或应用例而实现。

[应用例1]本应用例的太阳电池，通过串联连接多个电池单元而构成，所述电池单元具备基板、形成于前述基板上的第1电极层、形成于前述第1电极层上的半导体层和形成于前述半导体层上的第2电极层，其中，在前述基板上，设置有按每一前述电池单元划分前述第1电极层的绝缘性的第1划分部；前述第1电极层设置于通过前述第1划分部所划分的区域。

根据该结构，第1电极层通过第1划分部所划分。即，并非如以往那样采用激光照射和/或金属针等通过划线处理进行划分，而是通过第1划分部，以电池单元为单位划分(分割)第1电极层。从而，因为不需要对第1电极层进行划线处理，所以不会产生划线处理时的残渣，能够提供可靠性高的太阳电池。此外，因为不需要如以往那样设定考虑了划线处理中的误差的划线宽度等，所以可以使发电区域的形成区域增加，能够使转换效率提高。

[应用例2]上述应用例的太阳电池，前述第1划分部的顶部面与前述第1电极层的顶部面是相同的高度。

根据该结构，第1划分部与第1电极部的顶部面形成均匀的面。即，具有不存在高低差等的平坦面。由此，能够使第1划分部与形成于第1电极层上的半导体层的接合性提高。

[应用例3]本应用例的太阳电池，通过串联连接多个电池单元而构成，所述电池单元具备基板、形成于前述基板上的第1电极层、形成于前述第1电极层上的半导体层和形成于前述半导体层上的第2电极层，其中，在前述第1电极层上，设置有按每一前述电池单元划分前述半导体层及前述第2电极层的绝缘性的第2划分部；前述半导体层及前述第2电极层设置于通过前述第2划分部所划分的区域。

根据该结构，半导体层及第2电极层通过第2划分部所划分。即，并非如以往那样采用激光照射和/或金属针等通过划线处理进行划分，而是通过第2划分部，以电池单元为单位划分(分割)半导体层及第2电极层。从而，因为不需要对第2电极层进行划线处理，所以不会产生划线处理时的残渣，能够提供可靠性高的太阳电池。此外，因为不需要设定考虑了划线处理中的误差的划线宽度等，所以可以削减对发电不起作用的非发电区域，使对发电起作用的发电区域增加，能够使转换效率提高。

[应用例4]在上述本应用例的太阳电池中，在与前述第2划分部相邻的区域，设置有将前述第1电极层与前述第2电极层连通的槽部，在前述槽部，形成有前述第2电极层。

根据该结构，槽部形成于与第2划分部相邻的区域。即，槽部形成在电池单元的最外周部分。并且，在该槽部形成第2电极层，第1电极层与第2电极层电连接。从而，因为形成于槽部的第2电极层形成在电池单元的最外周部分，所以能够扩大第1电极层、半导体层与第2电极层相重叠的区域、即发电区域，能够提高转换效率。

[应用例5]在上述应用例的太阳电池中，在与前述第2划分部相邻的区域，设置有将前述第1电极层与前述第2电极层电连接的导电层。