[发明专利]有序多孔氧化铝薄膜-透明导电玻璃复合基底的制备方法

权利要求书

1.一种有序多孔氧化铝薄膜及其透明导电玻璃复合基底的制备方法，其特征在于，通过磁控溅射法在透明导电玻璃上分别沉积钛层、钨层和铝层，然后对溅射得到的铝层进行退火热处理和阳极氧化处理，得到多孔阳极氧化铝膜，最后对多孔阳极氧化铝膜进行扩孔与氧化阻挡层的去除，制备得到有序多孔氧化铝薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的磁控溅射法具体是指：在透明导电玻璃上依次采用以下参数进行溅射沉积：

1)在室温下以15.0±0.2W的功率沉积靶材纯度为99.5％的钛，沉积过程中等离子气体为Ar，压强为3.00±0.05Pa，得到位于最底部的钛层；

2)在室温下以30.0±0.2W的功率在钛层上沉积靶材纯度为99.5％的钨，沉积过程中等离子气体为Ar，压强为2.40±0.05Pa，得到位于中间的钨层；

3)在室温下以20.0±0.2W的功率在钨层上沉积靶材纯度为99.999％的铝，沉积过程中等离子气体为Ar，压强为0.50±0.05Pa，得到位于最顶部的铝层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的退火热处理是指：以1℃/分钟的加热速度，加热到300-400℃，保温退火6小时，然后以1℃/分钟速度冷却至室温。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的保温退火可消除溅射时残余在溅射层中的内应力，增强各溅射层之间的原子扩散，从而增进溅射层之间及溅射层与导电玻璃基底的结合力。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的阳极氧化处理是指：用Crystalbond^TM509粘合剂均匀涂抹在透明导电玻璃及铝层四周，然后置于浓度为0.3M的匀速搅拌的草酸溶液中，采用40V恒压加载于阳极，阴极采用与透明导电玻璃面积同样大小的铂箔平行放置并在室温中氧化5-10分钟，其中：当氧化腐蚀反应到铝层底部时电流明显降低，此时即可手工停止氧化。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的扩孔与氧化阻挡层的去除是指：将多孔阳极氧化铝膜浸入浓度为5wt％的磷酸溶液中，在室温下放置30-60分钟。