[发明专利]一种含稀土多酸与水滑石复合发光薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201010232517.5 | 申请日: | 2010-07-21 |
公开(公告)号: | CN101899303A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | 宋宇飞;徐军华;赵燊;韩真真;刘丽娜 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80;C09K11/78;C09K11/82 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 张水俤 |
地址: | 100029 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 稀土 滑石 复合 发光 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种含稀土多酸与水滑石复合发光薄膜的制备方法,其特征在于,其具体操作步骤如下:
1).离子交换法制备层间为硝酸根的水滑石前体:
a、配制含可溶性二价金属阳离子M2+和可溶性三价金属阳离子M3+的混合盐溶液,M2+和M3+的摩尔比2-4,其中M2+的浓度为0.1-1M,向混合盐溶液中加入六亚甲基四胺,六亚甲基四胺摩尔数为M2+和M3+的摩尔总和的3-5倍,混合后在聚四氟乙烯衬底的压力反应容器中120-140℃条件下进行反应12-36小时,采用去离子热水离心洗涤至中性,60-70℃干燥12-36小时,得到碳酸根插层水滑石;
b、将质量比为200∶1-500∶1的硝酸钠与步骤a制备的碳酸根插层水滑石在惰性气体保护下进行常温离子交换反应,1g碳酸根插层水滑石加去离子水500-2000ml,滴加浓硝酸0.1-0.8ml,反应12-24小时后采用除CO2的去离子水离心洗涤至中性,50-90℃干燥12-24小时,得到层间为硝酸根的水滑石前体;
2).取0.05-0.2g步骤1)制备的层间为硝酸根的水滑石前体在100ml甲酰胺溶剂里进行剥离12-36小时,氮气保护,搅拌速度为3000-5000转/分,将剥离后的水滑石溶液离心,弃去沉淀物,得到澄清透明胶体溶液A;
3).配制10-3-10-2mol/L的Na9LnW10O36溶液B,其中Ln为稀土元素,包括Eu、Ce、Tb或Gd;
4).将亲水化处理后的基底在溶液A中浸泡10-20分钟,用去离子水充分清洗后,放置溶液B中,浸泡10-20分钟并充分清洗,得到一次循环的含稀土多酸与水滑石复合发光薄膜;
5).重复步骤4),得到含稀土多酸与水滑石多层复合发光薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种含稀土多酸与水滑石复合发光薄膜的制备方法,其特征在于,所述的M2+选自Mg2+、Co2+、Ni2+、Ca2+、Cu2+、Fe2+、Mn2+中的一种,M3+选自Al3+、Cr3+、Ga3+、In3+、Co3+、Fe3+、V3+中的一种。
3.根据权利要求1或2任一所述的一种含稀土多酸与水滑石复合发光薄膜的制备方法,其特征在于,步骤4)所述的亲水化处理方法为将基底用体积比为0.5-2的甲醇和浓盐酸混合溶液浸泡30-50分钟,然后在浓硫酸浸中泡30-50分钟,最后用去离子水充分清洗。
4.根据权利要求1或2任一所述的一种含稀土多酸与水滑石复合发光薄膜的制备方法,其特征在于,所述的基底为石英片、硅片或玻璃片。
5.根据权利要求3所述的一种含稀土多酸与水滑石复合发光薄膜的制备方法,其特征在于,所述的基底为石英片、硅片或玻璃片。
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