[发明专利]陶瓷衬底的层薄膜器件及生产方法无效
申请号: | 201010234211.3 | 申请日: | 2010-07-20 |
公开(公告)号: | CN102339892A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 张桓棠;陈聪 | 申请(专利权)人: | 中晶(香港)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/048 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张春媛;阎娬斌 |
地址: | 中国香港九龙尖沙咀科*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 衬底 薄膜 器件 生产 方法 | ||
1.一种生产硅太阳能电池的方法,包括:
提供一晶体硅衬底,此衬底的厚度为第一厚度,包含了第一面和第二面,第一面是在第二面的对面;
在第一厚度形成一分隔区域,此分隔区域包含氢元素和化合物分子,基本上并行於第一面,此分隔区域在厚度内确定了首部份与次部份,首部份是在由第一面开始的第二厚度之间;
在第一面提供了一模子结构,此模子结构确定了一支撑区域;
在支撑区域内形成一层陶瓷物料;
移除模子结构;
移除次部份;与
在首部份形成电子器件,此电子器件包括光伏器件。
2.权利要求1所述的生产硅太阳能电池的方法,其中更包括在首部份与陶瓷物料之间形成一扩散阻隔层与结构强化层(氮化硅物料)。
3.权利要求1所述的生产硅太阳能电池的方法,其中更包括用一粘合层(陶瓷或连续粘合层)去提高陶瓷物料的粘合力。
4.权利要求1所述的生产硅太阳能电池的方法,其中更包括在首部份与陶瓷物料之间形成一镜面层。
5.权利要求1所述的生产硅太阳能电池的方法,其中更包括用氢离子注入去引进氢元素和化合物分子。
6.权利要求1所述的生产硅太阳能电池的方法,其中的移除次部份包括一热力剥离工艺。
7.权利要求1所述的生产硅太阳能电池的方法,其中的首部份的特点是厚度大概只有二至十微米。
8.权利要求1所述的生产硅太阳能电池的方法,更包括:
确定一首部份和一次部份,首部份与次部份被首部份的至少一部份分隔;
用第一种杂质掺杂首部份;
用第二种杂质掺杂次部份;与
於第一种杂质和第二种杂质表面上制作电极。
9.一光伏器件包括:
一支撑层,此支撑层基本包含了陶瓷物料,此支撑层被特定了为第一厚度,此陶瓷物料被特定了一透气级数,此支撑层包含了第一面和第二面,第一面拥有反射特性,此陶瓷物料是用胶态陶瓷物料固化而成,此支撑层的第二面是被抛光的;
一粘合层,此粘合层包含粘合物料,並定位在在支撑层与光伏层之间;
一光伏层,此光伏层包含了第一面与第二面及一掺杂区域,此掺杂区域包含了第一种杂质,此层被特定了一厚度为少於十微米,此光伏层覆盖了支撑层的第一面,第一方透过粘合层联结到支撑层,此光伏层基本包含了硅物料,此光伏层包含了两部份,第一部份包含了第一种杂质,第二部份包含了第二种杂质;
一结构强化层,此结构强化层定位在支撑层与光伏层之间,此结构强化层基本包含了氮化硅物料,此结构强化层被特定了一厚度为少於十微米;
一反光镜,此反光镜位於两层结构强化层之间;与
聚多的电接点联结至此光伏层。
10.一太阳能电池封装包括:
一光伏器件,此光伏器件包含第一面与第二面及支撑层与光伏层。支撑层基本包含了陶瓷物料,支撑层被特定了一厚度,此陶瓷物料被特定了一透气级数,此支撑层包含第一面与第二面。一光伏层包含第一面与第二面,此光伏层覆盖在支撑层的第一面,第一方与支撑层联结,此光伏层基本包含硅物料;
一保护层,此保护层包含耐候性物料,並覆盖了光伏器件的第一面与第二面;
一组电接器,用於与其他太阳能电池封装的串联连接,並有公与母的结构,而且分别连接到光伏器件的p-型与n-型电极;与
聚多的外部连接器,用於太阳能电池封装的并联连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的