[发明专利]陶瓷衬底的层薄膜器件及生产方法无效
申请号: | 201010234211.3 | 申请日: | 2010-07-20 |
公开(公告)号: | CN102339892A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 张桓棠;陈聪 | 申请(专利权)人: | 中晶(香港)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/048 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张春媛;阎娬斌 |
地址: | 中国香港九龙尖沙咀科*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 衬底 薄膜 器件 生产 方法 | ||
技术领域
本发明涉及陶瓷衬底的层薄膜器件及生产方法。
背景技术
本发明与太阳能技术有关。特别在於本发明提供一生产方法是把晶体物料用氢离子注入去引进氢元素和化合物分子的分离工艺制造出适合光伏应用的器件。更特别的是本发明提供一生产方法而制造出来的器件的光伏区域是被陶瓷物料支撑的。此发明已被应用於大阳能电池板,通常被称为模块,但不仅是这例子,它将会被认定为有一更广泛的应用性。
温室气体正以很快的速度增长,带来的是全球暖化。另外,全球人口也正快速增加至愈六十亿人,这样等於有一庞大的能源消耗,而且亦会相对地增加温室气体。很多时候,常规能源都是来自於化石燃料,包括原油及煤,水力发电系统,核能发电,及其他等等。然而,预计将来会有更多的原油消耗。虽然最大的能源消耗者仍然是美国,但大部份的增长则是来自发展中国家如中国及印度。於美国,差不多日常生活的每一个方面都是部份取决於原油。这些方面包括驾驶汽车上班,在家里开暖炉及开动用於建筑的大型机器等等。
原油稀缺日益增长,随时间流逝,原油价格便宜和供应充足的时代差不多去到终结。原油会逐渐地消失,这将会把我们带回原始时期。於是,其他或替代的能源被发展出来。现代社会亦凭藉其他非常有用的能源如水力发电,核能和其他的去提供我们日常由照明到启动电脑或其他设备所需的电力。大部份家用或商业用的电力都是由用煤或化石燃料去推动涡轮机,核能发电计划,水力发电计划和其他可再生能源而产生的。最普及的可再生能源就是太阳能,亦即来自太阳。
太阳是在产生太阳能时不可或决的,太阳能拥有很多特点,包括可再生,资源丰富及非常清洁等等。已被发展的常规技术通常是获得太阳能,之後集中并储存起来和转换到其他有用形式的能量。一个常见的例子就是太阳能电池板,此电池板包含了一些通常用多晶或单晶硅生产的太阳能电池。世界各地都有不同的公司生产这些太阳能电池,例如德国的Q Cells,美国加州的Sun Power Corporation,中国的Suntech及日本的Sharp,还有BP Solar等等。
不幸的是,太阳能电池板虽然在某方面的应用很成功,但太阳能电池仍然有一些限制。例如,太阳能电池有时比较昂贵,因为太阳能电池要用硅晶片生产,所以很难有效地生产出较大比例的太阳能电池。而且,用於生产太阳能电池的硅在有限的硅生产能力下也有时也变得稀缺。这些限制将会在之後作更详细描述。
从以上看来,研发一些能改善太阳能器件的技术是非常可取的。
发明内容
本发明与太阳能技术有关。特别在於本发明提供一生产方法是把晶体物料用氢离子注入去引进氢元素和化合物分子的分离工艺制造出适合光伏应用的器件。更特别的是本发明提供一生产方法而制造出来的器件的光伏区域是被陶瓷物料支撑的。此发明已被应用於大阳能电池板,通常被称为模块,但不仅是这例子,它将会被认定为有一更广泛的应用性。
本发明提供一生产大阳能电池的方法。此方法包含提供的晶体硅衬底,此衬底的厚度确定为第一厚度,此衬底包含第一面和第二面,第一面是在第二面的对面。此方法亦包含在第一厚度内形成一分隔区域,此分隔区域包含氢元素和化合物分子,此分隔区域基本上并行於第一面,此分隔区域在厚度内确定了首部份与次部份,首部份是包括在从第一面开始的第二厚度内。
另外,此方法包含在第一面提供一模子结构,此模子结构确定了一支撑区域。再者,此方法包含在支撑区域内形成一层陶瓷物料。此外,此方法包含次部份的移除。而且此方法包含在首部份形成电子器件。
本发明更提供一光伏器件,此器件包含一支撑层,此支撑层基本包含了陶瓷物料,亦被特定了为第一厚度,而且被特定了一透气级数,此支撑层包含了第一面和第二面。此器件亦包括了一拥有第一面与第二面的光伏层,并被特定了一厚度为少於十微米,此光伏层覆盖在支撑层的第一面而且光伏层的第一面与支撑层联结,此光伏层基本包含了硅物料。另外,此器件包含了聚多的电接点联结到光伏层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的