[发明专利]背面照度影像感测器的封装制作工艺有效
申请号: | 201010234568.1 | 申请日: | 2010-07-20 |
公开(公告)号: | CN102339837A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 张文雄 | 申请(专利权)人: | 宏宝科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背面 照度 影像 感测器 封装 制作 工艺 | ||
1.一种背面照度影像感测器的封装制作工艺,包括:
提供一晶片,该晶片具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面,且该第一表面设置有多个接合垫;
加工一第一载板,以于该第一载板中形成多个盲孔,其中该第一载板具有贴合面以及与该贴合面相对的背面,且该些盲孔于该贴合面形成开口;
粘着该第一载板的该贴合面与该晶片的该第一表面,且使该些盲孔分别与该些接合垫相对应;以及
在该第一载板的该背面进行一载板薄化制作工艺,以使该些盲孔成为贯通薄化后的该第一载板的多个通孔,且暴露出该些接合垫。
2.如权利要求1所述的背面照度影像感测器的封装制作工艺,其中加工该第一载板的方法包括:
提供该第一载板;
形成一氧化层于该第一载板的该贴合面上;以及
移除部分该氧化层及形成该些盲孔于该第一载板中。
3.如权利要求2所述的背面照度影像感测器的封装制作工艺,其中移除部分该氧化层及形成该些盲孔的方法包括蚀刻制作工艺或钻孔制作工艺。
4.如权利要求2所述的背面照度影像感测器的封装制作工艺,其中该第一载板为硅基板,且该氧化层为二氧化硅层。
5.如权利要求1所述的背面照度影像感测器的封装制作工艺,还包括:
形成一间隔层于该晶片的该第二表面上,其中该间隔层具有至少一开口区暴露出该晶片的该第二表面;
在该至少一开口区设置多个感测器元件;以及
粘着一第二载板于该间隔层上。
6.如权利要求5所述的背面照度影像感测器的封装制作工艺,其中设置该些感测器元件的方法包括:
形成一光二极管于该晶片的该第二表面;
形成一彩色滤光片于该光二极管上;以及
形成一微透镜于该彩色滤光片上。
7.如权利要求5所述的背面照度影像感测器的封装制作工艺,其中该第二载板为透明基板。
8.如权利要求5所述的背面照度影像感测器的封装制作工艺,其中在形成该间隔层之前,还包括一晶片薄化制作工艺,包括:
研磨该晶片的该第二表面,以形成一研磨表面;以及
蚀刻该晶片的该研磨表面。
9.如权利要求5所述的背面照度影像感测器的封装制作工艺,其中该间隔层为图案化粘着层。
10.如权利要求1所述的背面照度影像感测器的封装制作工艺,在该载板薄化制作工艺之后,还包括:
形成一绝缘层于该第一载板上,以覆盖该背面以及该些通孔的侧壁;以及
形成一导电层于该绝缘层上,并填入该些通孔中,以使该导电层电连接于该些接合垫。
11.如权利要求10所述的背面照度影像感测器的封装制作工艺,其中该绝缘层为二氧化硅层。
12.如权利要求10所述的背面照度影像感测器的封装制作工艺,其中形成该绝缘层的方法包括:
沉积一绝缘材料于该背面,以覆盖该背面、该些接合垫以及该些通孔的侧壁;以及
蚀刻移除位于该些接合垫上的该绝缘材料。
13.如权利要求12所述的背面照度影像感测器的封装制作工艺,其中沉积该绝缘材料的方法为化学气相沉积法。
14.如权利要求1所述的背面照度影像感测器的封装制作工艺,其中粘着该第一载板的该贴合面与该晶片的该第一表面的步骤在真空环境中进行。
15.一种背面照度影像感测器的封装制作工艺,包括:
提供一晶片,该晶片具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面,且该第一表面设置有多个接合垫;
加工一第一载板,以于该第一载板中形成多个通孔,其中该第一载板具有一贴合面以及与该贴合面相对的一背面,且该些通孔贯通该贴合面与该背面;以及
粘着该第一载板的该贴合面于该晶片的该第一表面,且使该些通孔分别与该些接合垫相对应,且暴露出该些接合垫。
16.如权利要求15所述的背面照度影像感测器的封装制作工艺,其中加工该第一载板的方法包括:
提供该第一载板;
形成一氧化层于该第一载板的该贴合面上;以及
移除部分该氧化层及形成该些通孔于该第一载板中。
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