[发明专利]背面照度影像感测器的封装制作工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种影像感测器，且特别是涉及一种背面照度影像感测器的封装制作工艺。 

背景技术

影像感测器用以将接收到的光信号转换为电信号，其主要应用于各种数字影像电子产品中。传统影像感测器将感测元件设置于半导体基板上，并且感测元件被配置于半导体基板上的多层金属线路层所覆盖。进入传统影像感测器的光线必须先通过多层金属线路层才能到达感测元件，因此，感测元件的感光能力受到局限。为了进一步提升影像感测器的感光能力，近年来背面照度影像感测器随之出现。背面照度影像感测器是把感测元件置于半导体基板的背面，而在半导体基板上(正面)仅是配置多层金属线路层。由于背面照度影像感测器的感光元件没有被金属线路层所覆盖，因此感光量大增，从而使得影像感测器的感光能力大大增强。 

目前，背面照度影像感测器的封装制作工艺，通常包括将半导体基板与载板贴合，于半导体基板设置感测元件，以及于载板配置金属线路层等步骤。一般地，为使配置于载板的金属线路层与半导体基板电连接，通常在半导体基板与载板贴合之后，根据半导体基板上多个接合垫的位置，再在载板上开设对应这些接合垫的孔，并进行后续的金属化制作工艺，以制作导通孔及于半导体基板制作金属线路。但是，由于半导体基板与载板贴合之后，半导体基板的这些接合垫便处于不可见状态，因此，在载板开孔过程中要对位这些接合垫比较困难，不尽费时费力导致封装效率低下，而且还很容易出现孔与接合垫对位不准确，进而影响封装品质。 

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种背面照度影像感测器的封装制作 工艺，以降低对位难度，从而提高封装效率并提升封装品质。 

为达上述目的，本发明提出一种背面照度影像感测器的封装制作工艺，其包括以下步骤。提供晶片，此晶片具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，且第一表面设置有多个接合垫。加工第一载板，以于第一载板中形成多个盲孔，其中第一载板具有贴合面以及与贴合面相对的背面，且这些盲孔于贴合面形成开口。粘着第一载板的贴合面与晶片的第一表面，且使盲孔分别与接合垫相对应。形成间隔层于晶片的第二表面上，其中间隔层具有至少一开口区暴露出晶片的第二表面。在此至少一开口区设置多个感测器元件。粘着第二载板于间隔层上。在第一载板的背面进行载板薄化制作工艺，以使这些盲孔成为贯通薄化后的第一载板的多个通孔，且暴露出接合垫。形成绝缘层于第一载板上，以覆盖背面以及通孔的侧壁。形成导电层于绝缘层上，并填入通孔中，以使导电层电连接于接合垫。 

在本发明的一实施例中，上述的加工第一载板的方法包括：提供第一载板；形成氧化层于第一载板的贴合面上；以及移除部分氧化层及形成这些盲孔于第一载板中。在本发明的一实施例中，上述的移除部分氧化层及形成这些盲孔的方法包括蚀刻制作工艺或钻孔制作工艺。在本发明的一实施例中，上述的第一载板为硅基板，且氧化层为二氧化硅层。 

在本发明的一实施例中，上述的设置这些感测器元件的方法包括：形成光二极管于晶片的第二表面；形成彩色滤光片于光二极管上；以及形成微透镜于彩色滤光片上。 

在本发明的一实施例中，上述的第二载板为透明基板。 

在本发明的一实施例中，在形成该间隔层之前，更包括晶片薄化制作工艺。此晶片薄化制作工艺包括：研磨晶片的第二表面，以形成研磨表面；以及蚀刻晶片的研磨表面。 

在本发明的一实施例中，上述的绝缘层为二氧化硅层。 

在本发明的一实施例中，上述的形成绝缘层的方法包括：沉积绝缘材料于第一载板的背面，以覆盖背面、接合垫以及通孔的侧壁；以及蚀刻移除位于接合垫上的绝缘材料。在本发明的一实施例中，上述的沉积绝缘材料的方法为化学气相沉积法。 

在本发明的一实施例中，上述的间隔层为图案化粘着层。 

在本发明的一实施例中，上述的粘着第一载板的贴合面于晶片的第一表 面的步骤在真空环境中进行。