[发明专利]一种镍-聚吡咯双层纳米线阵列材料的制备方法

权利要求书

1.一种镍-聚吡咯双层纳米线阵列材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

1)氧化铝模板的制备

2)氧化铝模板降压修饰

步骤1)完成以后，保持其它条件不变，大幅度降低电压，直至电流减小到2mA/cm²，停止降压，等待电流回复后再重复迅速降压，直至电压降至17V，减小降压幅度，以电流变化1mA/cm²为单位，逐次降压直至降到所需电压(6v以下即可用于电沉积制备)，但应保证降压完成时电流不小于1mA/cm²；

3)双槽法恒压直流电沉积制备镍-聚吡咯双层纳米线阵列

将镀镍溶液和镀聚吡咯溶液分置于两个镀槽中，先把降压修饰后的模板作为阴极，在镍电镀液中沉积2min，而后在聚吡咯电镀液中沉积2min，为了避免镀液交叉污染，将模板从一镀槽移到另一镀槽之前，用去离子水冲洗干净，并超声5min；

在两个镀槽之间转移时，作为阴极的降压修饰后的模板需要维持通电状态；

电沉积镍的相关参数为：七水合硫酸镍160-240g/L，氯化镍35g/L，硼酸45g/L，十二烷基硫酸钠0.05g/L，pH：3，温度：25～45℃，沉积电压：步骤2)降压完成后的电压基础上加2～3V，阳极：镍板；

镀镍后，进行聚吡咯电沉积时，先进行大电压冲击镀，即在步骤2)降压完成后的电压基础上加5-7V电压进行极短(5-6秒)的冲击镀，然后将电压降到所需大小进行正常电沉积；

电沉积聚吡咯的相关参数为：吡咯(Py)0.1mol/L，高氯酸锂(LiClO₄)0.2mol/L，乙醇体积分数75％水溶液，pH：5，温度：5℃，沉积电压为步骤2)降压完成后的电压基础上加3～5V，阳极：铝箔。