[发明专利]半导体发光器件无效

专利信息
申请号: 201010235391.7 申请日: 2007-11-12
公开(公告)号: CN101895062A 公开(公告)日: 2010-11-24
发明(设计)人: 古嶋裕司;阿部博明;工藤久;藤本强;青嶋健太郎 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01S5/40 分类号: H01S5/40;G11B7/12
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 器件
【权利要求书】:

1.一种通过层叠第一发光器件和第二发光器件形成的半导体发光器件,其中:

所述第一发光器件包括:条状的第一发光器件部分和条状的第二发光器件部分,彼此平行地形成在第一衬底上;以及条状的第一电极和条状的第二电极,分别向所述第一发光器件部分和所述第二发光器件部分提供电流;

所述第二发光器件包括:条状的第三发光器件部分,形成在相对所述第一衬底设置的第二衬底的相对面一侧上;条状的第三电极,向所述第三发光器件部分提供电流;条状的第一相对电极和条状的第二相对电极,分别相对所述第一电极和第二电极布置,并且分别电连接到所述第一电极和第二电极;第一连接衬垫和第二连接衬垫,分别电连接到所述第一相对电极和第二相对电极;以及第三连接衬垫,电连接到所述第三电极;以及

所述第一连接衬垫、第二连接衬垫和第三连接衬垫,分别布置在所述第二发光器件的第一相对电极一侧和第二相对电极一侧上;

其中所述第一连接衬垫、第二连接衬垫和第三连接衬垫并排布置在与所述第一相对电极和第二相对电极平行的条状区域中并且成一条线,

其中所述第二发光器件还包括:

焊接层,形成在所述第一相对电极上,且在所述第一电极与所述第一相对电极电导通的状态下熔合;

连接部分,将所述第一相对电极电连接到所述第一连接衬垫;以及

凸起部分,形成在所述连接部分的表面上。

2.根据权利要求1的半导体发光器件,其中所述第二发光器件包括:

第一焊接层,形成在所述第一相对电极上,且在所述第一电极与所述第一相对电极电导通的状态下熔合;

第二焊接层,形成在所述第二相对电极上,且在所述第二电极与所述第二相对电极电导通的状态下熔合;以及

凸起部分,形成在所述第一焊接层和所述第二焊接层之间。

3.根据权利要求2的半导体发光器件,其中所述凸起部分形成在所述第一相对电极的第二相对电极一侧上的末端和所述第二相对电极的第一相对电极一侧上的末端的至少一个中。

4.根据权利要求1的半导体发光器件,其中所述第二发光器件包括:

焊接层,形成在所述第一相对电极上,且在所述第一电极与所述第一相对电极电导通的状态下熔合;以及

凸起部分,形成在主要发光侧上的端面和所述焊接层之间的部分以及在所述主要发光侧的相对一侧上的端面和所述焊接层之间的部分的至少一个中。

5.根据权利要求1的半导体发光器件,其中所述第二发光器件包括:

焊接层,形成在所述第一相对电极上,且在所述第一电极与所述第一相对电极电导通的状态下熔合;以及

凸起部分,形成在所述第一连接衬垫、第二连接衬垫和第三连接衬垫中至少一个和所述焊接层之间。

6.根据权利要求1的半导体发光器件,其中所述第二发光器件包括:

焊接层,形成在所述第一相对电极上,且在所述第一电极与所述第一相对电极电导通的状态下熔合;以及

凸起部分,环绕所述焊接层的周边形成。

7.根据权利要求6的半导体发光器件,其中所述第二发光器件包括:

焊接层,形成在所述第一相对电极上,且在所述第一电极与所述第一相对电极电导通的状态下熔合;以及

第一连接部分,将所述第一相对电极电连接到所述第一连接衬垫,

其中所述第一相对电极具有延伸部分,所述延伸部分在所述第二发光器件的表面中不朝向所述第一发光器件发出的光的光路的区域中的平面方向延伸。

8.根据权利要求1的半导体发光器件,其中所述第二发光器件包括:

覆盖膜,形成在主要发光侧上的端面和所述主要发光侧的相对一侧上的端面中至少一个上;以及

凸起部分,形成在邻近所述第一连接衬垫、第二连接衬垫和第三连接衬垫之外的覆盖膜的区域的全部或部分表面上,或者形成在所述第一发光器件中的所述区域和所述覆盖膜之间的表面上。

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