[发明专利]半导体发光器件

说明书

本申请是申请日为2007年11月12日且发明名称为“半导体发光器件、光学拾取单元及信息记录/再现装置”的中国专利申请No.200710306136.5的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体发光器件、光学拾取单元以及记录/再现装置，该半导体发光器件包括多个发光器件。

背景技术

近几年，在激光二极管(LD)领域，已经积极地对在相同衬底(或基板)上具有不同发光波长的多个发光器件部分的多波长激光器件进行开发。例如，多波长激光器件用作用于光盘单元的光源。

在光盘单元中，700nm波段的激光用于CD(压缩盘)的再现，以及用于如CD-R(可记录CD)、CD-RW(可写入CD)和MD(迷你盘)的可记录光盘的记录和再现。另外，600nm波段的激光用于DVD(数字通用盘)的记录和再现。通过在光盘单元上安置多波长激光器件，就变得可以对多种类型的现有光盘进行记录和再现。而且，已经实现了使用以GaN，AlGaN混合晶体和GaInN混合晶体为代表的氮化物III-V族化合物半导体的短波激光器件(400nm波段)，且它们致力于例如作为更高密度光盘的光源的短波激光器件的实际应用。通过发展包括短波激光器件的多波长激光器件，可使应用更广泛。

在过去，作为具有如上所述的GaN发光器件部分的三波长激光器件，已经提出了下述器件(日本专利No.3486900)。在这种器件中，通过在GaN(氮化镓)制成的衬底上生长GaN半导体形成400nm波段(例如405nm)的第一发光器件。第二发光器件通过在相同的GaAs(砷化镓)组制成的衬底上彼此平行地生长AlGaInP半导体提供具有600nm波段(例如650nm)的发光器件部分的器件和生长AlGaAs半导体提供700nm波段(例如780nm)的发光器件部分的器件而形成。第一发光器件和第二发光器件以该顺序依次层叠在支持基板(热沉)上。

发明内容

为独立地驱动上述三波长激光器件中各个发光器件部分，有必要提供用于分别向各个发光器件部分注入电流的电极和用于键合每个发光器件部分的导线的连接衬垫。但是，如果各个连接衬垫布置时没有考虑前面的结果，那么三波长激光器件在尺寸上将会增加。

由于以上原因，在本发明中，希望提供通过设计连接衬垫的布置而小型化的半导体发光器件以及具有其的光学拾取单元和信息记录/再现装置。

根据该发明的实施例，提供通过层叠第一发光器件和第二发光器件形成的第一半导体发光器件。第一发光器件包括在第一衬底上彼此平行形成的条状的第一发光器件部分和条状的第二发光器件部分；和分别向第一发光器件部分和第二发光器件部分提供电流的条状的第一电极和条状的第二电极。第二发光器件具有条状的第三发光器件部分，第三发光器件部分形成在与第一衬底相对布置的第二衬底的相对面一侧上，且在与第一发光器件部分和第二发光器件部分的发光方向相同的方向上发射的光波段不同于前述各波段；条状的第三电极向第三发光器件部分提供电流；条状的第一相对电极和条状的第二相对电极分别与第一电极和第二电极相对布置，且分别与第一电极和第二电极电连接；第一连接衬垫和第二连接衬垫分别与第一相对电极和第二相对电极电连接且导线键合到其上；第三连接衬垫电连接到第三电极且导线键合到其上。第一连接衬垫，第二连接衬垫和第三连接衬垫与第一相对电极和第二相对电极平行布置。

根据该发明的实施例，提供第一光学拾取单元，其包括光源和提供在其中安装记录媒质的区域和光源之间的光学系统。光源包括第一半导体发光器件。根据该发明的实施例，提供第一信息记录/再现装置，包括第一光学拾取单元和信息处理部分，该信息处理部分将输入的信息发送给第一光学拾取单元且从第一光学拾取单元接收记录在记录媒质上的信息。

根据该发明的实施例，提供通过层叠第一发光器件和第二发光器件形成的第二半导体发光器件。第一发光器件包括形成在第一衬底上的条状的第一发光器件部分；和提供电流给第一发光器件部分的条状的第一电极。第二发光器件包括条状的第二发光器件部分和条状的第三发光器件部分，在与第一衬底相对布置的第二衬底的相对面的一侧上互相平行地形成；条状的第二电极和条状的第三电极，分别向第二发光器件部分和第三发光器件部分提供电流；且条状的第一相对电极与第一电极相对布置且与第一电极电连接；第一连接衬垫与第一相对电极电连接；且第二连接衬垫和第三连接衬垫分别与第二电极和第三电极电连接。第一连接衬垫、第二连接衬垫和第三连接衬垫在与第一相对电极平行的条状区上并排布置。