[发明专利]真空镀膜件及其制备方法无效
| 申请号： | 201010235428.6 | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN102337501A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;马闯 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空镀膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种真空镀膜件，包括一基体及一形成于基体上的颜色层，其特征在于：该颜色层为一氧化铬层，该颜色层呈现的色度区域于CIE LAB表色系统的L*坐标介于75至80之间，a*坐标介于-5至-10之间，b*坐标介于15至20之间。
2.如权利要求1所述的真空镀膜件，其特征在于：所述颜色层的厚度为0.5～3μm。
3.如权利要求1所述的真空镀膜件，其特征在于：该真空镀膜件还包括一形成于基体与颜色层之间的衬底层，该衬底层为一铬层。
4.如权利要求3所述的真空镀膜件，其特征在于：该衬底层的厚度为0.01～0.1μm。
5.如权利要求1所述的真空镀膜件，其特征在于：该基体的材质为金属、玻璃、陶瓷及塑料中的一种。
6.一种真空镀膜件的制备方法，包括以下步骤：
提供一基体；
使用一铬靶，以5～100sccm的流量通入纯度为99.99％的氧气，通过磁控溅射镀膜方法在基体上形成一颜色层，该颜色层为一氧化铬层，其厚度为0.5～3μm，呈现的色度区域于CIE LAB表色系统L*坐标介于75至80之间，a*坐标介于-5至-10之间，b*坐标介于15至20之间。
7.如权利要求6所述的真空镀膜件的制备方法，其特征在于：形成该颜色层时，偏压设为-100～-300V。
8.如权利要求7所述的真空镀膜件的制备方法，其特征在于：该颜色层的沉积时间为20～60min。
9.如权利要求6所述的真空镀膜件的制备方法，其特征在于：该真空镀膜件的制备方法还包括在形成颜色层前在基体上磁控溅射一铬衬底层的步骤。
10.如权利要求9所述的真空镀膜件的制备方法，其特征在于：形成该铬衬底层的工艺参数为：氩气流量为100～500sccm，温度为120～180℃，公转转速为2.0～3.0rpm，偏压为-100～-500V，沉积时间为5～15min。
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