[发明专利]制作工艺反应系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种制作工艺反应系统，尤其是涉及一种利用喷气装置喷吹出与基板之间具有介于15度至25度内的夹角的清洁气流以去除微粒的制作工艺反应系统。

背景技术

一般而言，在半导体的各项相关制作工艺中，基板上的微粒是主要的污染源之一，其多少程度通常会对制作工艺品质的好坏产生极大的影响。举例来说，在基板上进行光致抗蚀剂层的曝光制作工艺中，若有过多的微粒附着于基板上或是进入曝光机内，则经曝光后所产生的光致抗蚀剂图案就会因此产生缺陷及错误，从而导致不良的曝光品质。

在背景技术中，常见用来去除微粒的方式是利用离子气流吹出装置以将基板表面的微粒吹离，以避免微粒附着于基板上；上述方式的相关配置，举例来说，其可如图1以及图2所示，图1为背景技术一制作工艺反应系统10的立体示意图，图2为图1所示的制作工艺反应系统10的侧视图，制作工艺反应系统10用来于一基板12上进行反应制作工艺(如蚀刻、曝光等)，制作工艺反应系统10包含有一制作工艺反应室14以及一离子气流吹出装置16；制作工艺反应室14具有一闸门18，意即基板12经由闸门18以进入制作工艺反应室14；离子气流吹出装置16设置于基板12的正上方，离子气流吹出装置16用来吹出离子气流至基板12的表面上，如此即可中和在基板12的表面上所累积的静电荷并同时将微粒吹离。

然而，如图2所示，此种方式需要将离子气流吹出装置16以相当近的距离垂直设置于基板12的正上方，如此才能使离子气流吹出装置16有效地吹起微粒，因此，若是基板12在传送过程中产生振动，例如在使用机械手臂传送时所造成的振动，持续振动中的基板12就会容易与以近距离设置的离子气流吹出装置16发生碰撞，从而造成基板12的损坏，而垂直喷吹至基板12上的离子气流也会容易产生不必要的扰流现象，除此之外，通过离子气流的垂直喷吹而扬起的微粒(如图2所示)也容易因此经由闸门18而进入制作工艺反应室14中，进而对制作工艺反应室14内所进行的反应制作工艺造成不良的影响。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种利用喷气装置喷吹出与基板之间具有介于15度至25度内的夹角的清洁气流以去除微粒的制作工艺反应系统，以解决上述的问题。

本发明提供一种制作工艺反应系统，其用来于一基板上进行一反应制作工艺，该制作工艺反应系统包含有一制作工艺反应室，其具有一闸口；以及一喷气装置，其设置于对应该闸口的位置上且位于该基板的上方，该喷气装置用于产生一清洁气流，该清洁气流具有一流动路径，且该流动路径与该基板间具有一夹角，该夹角实质上介于15度至25度。

附图说明

图1为背景技术制作工艺反应系统的立体示意图；

图2为图1所示的制作工艺反应系统的侧视图；

图3为根据本发明较佳实施例所提出的制作工艺反应系统的侧视图；

图4为图3所示的喷气装置设置于对应闸口的位置上且位于基板的上方的立体示意图。

主要元件符号说明

10、100  程反应系统            12、102    基板

14、104  制作工艺反应室        16         离子气流吹出装置

18       闸门                  106        喷气装置

108      离子产生装置          110        微粒清洁设备

112      闸口                  114        清洁气流

116流动路径                    118        多孔层板

具体实施方式

请参阅图3，其为根据本发明一较佳实施例所提出的一制作工艺反应系统100的侧视图，制作工艺反应系统100用来于一基板102上进行一反应制作工艺，其中基板102为一般常见应用于半导体制作工艺中的板件，例如是印刷基板(硬式基板)、玻璃基板或可挠基板(软性基板)等；由图3可知，制作工艺反应系统100包含有一制作工艺反应室104、一喷气装置106、一离子产生装置108，以及一微粒清洁设备110；在此实施例中，制作工艺反应室104较佳地为一曝光机，也就是说，本发明所提出的制作工艺反应系统100较佳地应用于基板102的曝光反应制作工艺上，但不受此限，制作工艺反应系统100也可应用于其他需要对基板进行微粒清洁步骤的反应制作工艺上，如蚀刻制作工艺等；此外，制作工艺反应室104具有一闸口112，基板102可经由闸口112以进入制作工艺反应室104内。