[发明专利]形成半导体装置的方法及形成半导体晶片电性连接的方法

权利要求书

1.一种形成半导体晶片电性连接的方法，包含：

提供一半导体晶片，该半导体晶片包含一绝缘层，其中该绝缘层具有一表面；

形成一包含铜的金属材料构成的长条柱突出于该绝缘层的表面，其中该金属材料构成的长条柱具有一侧壁表面；以及

通过一无电镀工艺来形成一保护层于该金属材料构成的长条柱的侧壁表面上，其中该保护层包含锡。

2.如权利要求1所述的方法，还包含：

形成该保护层于该金属材料构成的长条柱的一上表面。

3.如权利要求1所述的方法，还包含：

在形成该保护层之前，覆盖一导电材料于该金属材料构成的长条柱的一上表面。

4.一种形成半导体晶片电性连接的方法，包含：

提供一半导体晶片，该半导体晶片包含一集成电路；

形成一具有一表面的绝缘层于该半导体晶片之上，其中一导电途径位于该绝缘层之上，且与该集成电路电性接触；

形成一包含铜的金属材料构成的长条柱突出于该绝缘层的表面，其中该长条柱具有一侧壁，其中该长条柱穿过该绝缘层与该导电途径接触；以及

通过将该金属材料构成的长条柱暴露于一含锡、硅、或锗的气体前驱物中，使该气体前驱物与含铜的长条柱进行反应，以形成一保护层。

5.如权利要求4所述的方法，还包含：

形成该保护层于该金属材料构成的长条柱的一上表面。

6.如权利要求4所述的方法，还包含：

在形成该保护层之前，覆盖一导电材料于该金属材料构成的长条柱的一上表面。

7.一种形成半导体装置的方法，包含：

提供一半导体芯片；

形成一绝缘层于该半导体芯片之上，该绝缘层具有一表面；

形成一包含铜的金属材料构成的长条柱，突出于该绝缘层的表面，其中该长条柱具有一侧壁；

通过将该金属材料构成的长条柱暴露于一含锡、硅、或锗的气体前驱物中，使该气体前驱物与含铜的长条柱进行反应，以形成一保护层；以及

将一半导体元件结合至该半导体芯片的该金属材料构成的长条柱，使得该半导体电性连接至该半导体芯片。

8.如权利要求7所述的方法，还包含：

形成该保护层于该金属材料构成的长条柱的一上表面。

9.如权利要求7所述的方法，还包含：

填充一填充物于一间隙中，其中该间隙介于该半导体芯片及该半导体元件之间。