[发明专利]一种晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种晶体管的制作方法，包括以下步骤：

制作集电区；

在所述集电区上制作基区；

在所述基区上制作发射区；

其特征在于：所述方法还包括：以所述发射区为掩膜，对所述基区进行离子注入，所述离子注入的能量范围为5KeV至150KeV，剂量范围为3e15cm^-2至3e12cm^-2，使得离子能够注入到所述基区以及所述集电区内，注入完成后进行扩散工艺，在所述基区以及所述集电区内形成掺杂区。

2.根据权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于：所述离子注入的次数为四次，第一次离子注入的能量为5KeV至10KeV，剂量为1e15cm^-2至3e15cm^-2，第二次离子注入的能量为30KeV至50KeV，剂量为3e12cm^-2至1e13cm^-2，第三次离子注入的能量为80KeV至120KeV，剂量为3e12cm^-2至1e13cm^-2，第四次离子注入的能量为130KeV至150KeV，剂量为3e12cm^-2至1e13cm^-2。

3.根据权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于：所述离子注入的次数为三次，第一次离子注入的能量为5KeV至10KeV，剂量为1e15cm^-2至3e15，第二次离子注入的能量为30KeV至50KeV，剂量为3e12cm^-2至1e13，第三次离子注入的能量为80KeV至120KeV，剂量为3e12cm^-2至1e13cm^-2。

4.根据权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于：所述离子注入的离子为硼离子。

5.根据权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于：制作所述基区的方法包括：在所述集电区表面生长锗硅，并在所述集电区表面形成P型外延层。

6.根据权利要求5所述的晶体管的制作方法，其特征在于：所述集电区内包括两个隔离沟槽，所述P型外延层均位于两个所述隔离沟槽上。

7.根据权利要求5所述的晶体管的制作方法，其特征在于：制作所述发射区的方法包括：

在所述基区上形成氧化层；

在所述氧化层上旋涂第一光刻胶层，经过光刻工艺后，在所述第一光刻胶层上定义出接触孔图形；

以所述第一光刻胶层为掩膜，沿所述接触孔图形刻蚀所述氧化层至露出所述P型外延层，形成接触孔；

去除所述第一光刻胶层后，用化学气相沉积法形成填充接触孔且覆于所述氧化层表面的多晶硅层；

平坦化所述多晶硅层，在所述多晶硅层上形成第二光刻胶层，经过曝光显影工艺后，定义出发射极图形。

8.根据权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于：所述基区的厚度范围为700埃至1000埃。