[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201010236329.X | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101964343A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 大森宽将 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/77;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 黄纶伟;马建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，该半导体装置具有形成有半导体元件的元件区域和形成于所述元件区域外周的外周区域，其特征在于，该半导体装置具有：
第1导电型的第1导电型区域，其形成于所述元件区域和所述外周区域；
第2导电型的多个第1柱状区域，其形成于所述元件区域的第1导电型区域；
第2导电型的多个第2柱状区域，其形成于所述外周区域的第1导电型区域；以及
第2导电型的多个电场缓和区域，其形成于所述第2柱状区域的上部，
所述电场缓和区域与相邻的电场缓和区域之间的间隔在所述外周区域的内侧和外侧不同。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述外周区域的内侧的所述电场缓和区域与相邻的电场缓和区域之间的间隔小于所述外周区域的外侧的所述电场缓和区域与相邻的电场缓和区域之间的间隔。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述电场缓和区域与相邻的电场缓和区域之间的间隔随着接近所述外周区域的外侧而逐渐增大。
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，
所述电场缓和区域的宽度随着接近所述外周区域的外侧而逐渐减小。
5.根据权利要求2～4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述电场缓和区域的深度随着接近所述外周区域的外侧而逐渐变浅。
6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1柱状区域和相邻的第1柱状区域之间的距离与所述第2柱状区域和相邻的第2柱状区域之间的距离相等。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
