[发明专利]用于使图形密度加倍的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在主层上沉积未掺杂的硅层；

在所述未掺杂的硅层上沉积帽层；

构图在所述帽层上的掩蔽层，所述掩蔽层具有开口；

通过去除由所述掩蔽层中的所述开口暴露的所述未掺杂的硅层的部分和所述帽层的对应部分而将所述未掺杂的硅层构图成硅芯部；

去除所述光致抗蚀剂层，以留下位于所述主层上的所述硅芯部以及所述硅芯部上的帽层芯部；

在这样的工艺中将杂质引入所述硅芯部的侧壁中，所述工艺使得所述硅芯部的侧壁部分掺杂有杂质并使所述硅芯部中的至少一些的中心部分未掺杂，在单独的硅芯部内，所述硅芯部的所述中心部分位于所述硅芯部的所述侧壁部分之间；

去除所述帽层芯部而留下位于所述主层上的所述硅芯部；

执行选择性材料去除工艺，以去除所述硅芯部的所述中心部分并使所述硅芯部的所述侧壁部分留在所述主层上；

使用所述硅芯部的所述侧壁部分作为构图掩模来至少构图所述主层；以及

去除所述硅芯部的所述侧壁部分以至少留下构图后的所述主层。

2.根据权利要求1的方法，所述未掺杂的硅层包括非晶硅和多晶硅中的一种。

3.根据权利要求1的方法，引入所述杂质包括倾斜离子注入、等离子体掺杂、等离子体浸入离子注入、簇掺杂、浸剂掺杂、气相掺杂、液相掺杂和固相掺杂中的一种。

4.根据权利要求1的方法，构图所述主层包括相对于所述未掺杂的硅层而构图位于所述主层之下的衬底。

5.根据权利要求1的方法，所述光致抗蚀剂中的所述开口具有与已知的现有技术状态的最小光致抗蚀剂开口尺寸相当的尺寸。

6.一种方法，包括：

在主层上沉积未掺杂的硅层；

在所述未掺杂的硅层上沉积帽层；

构图在所述帽层上的掩蔽层，所述掩蔽层具有开口；

通过去除由所述掩蔽层中的所述开口暴露的所述未掺杂的硅层的部分和所述帽层的对应部分而将所述未掺杂的硅层构图成硅芯部，所述开口被分隔以使所述硅芯部中的一些被形成为不同的尺寸；

去除所述光致抗蚀剂层，以留下位于所述主层上的所述硅芯部以及所述硅芯部上的帽层芯部；

在这样的工艺中将杂质引入所述硅芯部的侧壁中，所述工艺使得所述硅芯部的侧壁部分掺杂有杂质并使所述硅芯部中的至少一些的中心部分未掺杂，在单独的硅芯部内，所述硅芯部的所述中心部分位于所述硅芯部的所述侧壁部分之间；

去除所述帽层芯部而留下位于所述主层上的所述硅芯部；

执行选择性材料去除工艺，以去除所述硅芯部的所述中心部分并使所述硅芯部的所述侧壁部分留在所述主层上；

使用所述硅芯部的所述侧壁部分作为构图掩模而至少构图所述主层；以及

去除所述硅芯部的所述侧壁部分以至少留下构图后的所述主层。

7.根据权利要求6的方法，所述未掺杂的硅层包括非晶硅和多晶硅中的一种。

8.根据权利要求6的方法，引入所述杂质包括倾斜离子注入、等离子体掺杂、等离子体浸入离子注入、簇掺杂、浸剂掺杂、气相掺杂、液相掺杂和固相掺杂中的一种。

9.根据权利要求6的方法，构图所述主层包括相对于所述未掺杂的硅层而构图位于所述主层之下的衬底。

10.根据权利要求6的方法，所述光致抗蚀剂中的所述开口具有与已知的现有技术状态的最小光致抗蚀剂开口尺寸相当的尺寸。