[发明专利]化学增幅型抗蚀剂组合物及其所使用的盐

说明书

技术领域

本发明涉及化学增幅型抗蚀剂组合物及其所使用的盐。

背景技术

在半导体领域中一直不断要求微细加工，光致抗蚀剂的曝光光源的短波长化正不断发展。但是，短波长化会导致曝光强度的降低。为了解决该问题开发了利用酸产生剂的化学增幅型抗蚀剂组合物。通过光照射由酸产生剂产生的酸作为催化剂发挥作用，由此促进可溶化反应(正型时)及固化反应(负型时)，因此化学增幅型抗蚀剂组合物可以实现高感度。作为这种酸产生剂例如已知三苯基锍盐1-金刚烷甲氧基羰基二氟甲磺酸酯等(专利文献1的实施例)。

专利文献1：日本特开2004-4561号公报

发明内容

发明预解决的技术问题

化学增幅型抗蚀剂组合物要求高分辨率和良好的光罩错误增强因子(Mask Error-Enhancement Factor)。本发明着眼于该事实而完成，其目的在于提供分辨率和光罩错误增强因子优异的化学增幅型抗蚀剂组合物。

用于解决技术问题的方法

本发明人等深入研究的结果发现，在抗蚀剂组合物中使用新型的盐作为酸产生剂时，可以达成上述目的。

本发明包括以下的发明。

[1]式(1)所示的盐

式(A1)中，Z⁺表示有机阳离子。Q¹和Q²各自独立地表示氟原子或者直链状或支链状的C_1-6全氟烷基。L^a1表示-(CH₂)_m1-；m₁表示1～6的整数；上述-(CH₂)_m1-的亚甲基可以被氧原子(-O-)或羰基(-CO-)取代；上述-(CH₂)_m1-的氢原子还可以被直链状或支链状的C_1-4脂肪族烃基取代；L^a2表示单键、-O-(CH₂)_L1-或-CO-O-(CH₂)_L1-；L₁表示1～6的整数；上述-(CH₂)_L1-的亚甲基可以被氧原子或羰基取代；上述-(CH₂)_L1-的氢原子还可以被直链状或支链状的C_1-4脂肪族烃基取代；R^a1表示2价的环式C_4-36脂肪族烃基或2价的C_6-18芳香族烃基；上述2价的环式脂肪族烃基或上述芳香族烃基的氢原子可以被卤原子、直链状、支链状或环式的C_1-12脂肪族烃基、C_7-21芳烷基、环氧丙氧基或C_2-4酰基取代；上述2价的环式脂肪族烃基的氢原子还可以被C_6-20芳香族烃基取代；上述直链状、支链状或环式的脂肪族烃基或上述芳烷基的亚甲基还可以被氧原子或羰基取代；R^a2为式(II-1)或式(II-2)所示的离去基团。

式(II-1)中，R^a3和R^a4各自独立地表示氢原子，或者直链状或支链状的C_1-12脂肪族烃基。R^a5表示直链状、支链状或环式的C_1-24脂肪族烃基。

式(II-2)中，R^a6表示2价的C_2-24脂肪族烃基。R^a7表示直链状或支链状的C_1-12脂肪族烃基。

[2]根据[1]所述的盐，其中，R^a1用式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)或式(I-4)中的任一者表示，

[3]根据[1]或[2]所述的盐，其中，L^a1表示-CO-O-或-CO-O-(CH₂)_k1-，k₁表示1～4的整数。

[4]根据[1]～[3]中任一项所述的盐，其含有式(a1-1-1)、式(a1-1-2)、式(a1-1-3)、式(a1-1-4)、式(a1-1-5)、式(a1-2-1)、式(a1-3-1)、式(a1-4-1)或式(a1-5-1)所示的阴离子，