[发明专利]发光二极管的封装结构

权利要求书

1.一种发光二极管的封装结构，包括一导热基板、设置于导热基板上的一晶粒、及将晶粒封装于导热基板上的封装体，其特征在于：该晶粒与导热基板之间设有一金属共晶层，该金属共晶层由镀设在晶粒上的一金属层及镀设导热基板上的另一金属层共晶结合形成。

2.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：该晶粒具有一与金属共晶层接触的衬底，一导热膏围设在衬底及金属共晶层周围，以使晶粒充分地与导热基板热连接。

3.如权利要求2所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：还包括一形成于该导热基板上的电极电路层，所述晶粒引出二电极直接连接该电极电路层，所述导热膏与该电极接触。

4.如权利要求2所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述衬底的载子浓度小于或等于2×10⁶cm^-3。

5.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：该金属共晶层的材料是金属Au、Sn、In、Al、Ag、Bi或Be或其合金。

6.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：还包括一形成于该导热基板上的电极电路层，所述晶粒引出二电极，二金属线分别连接电极与该电极电路层。

7.如权利要求6所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：该导热基板为不导电的陶瓷材料Al_xO_y、AlN或ZrO₂，该电极电路层直接形成于该导热基板上。

8.如权利要求6所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：该导热基板由导电材料制成，所述导热基板与电极电路层之间还设有一电绝缘层。

9.如权利要求8所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：该导热基板为Si板，该电绝缘层为SiO₂层、Si_xN_y层或者Si_xO_yN_z层。

10.如权利要求8所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：该导热基板为Al板，该电绝缘层为Al_xO_y层、Al_xN_y层或者Al_xO_yN_z层。