[发明专利]发光二极管的封装结构无效
申请号: | 201010239742.1 | 申请日: | 2010-07-29 |
公开(公告)号: | CN102339944A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 吕英杰;赖志铭 | 申请(专利权)人: | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/64 | 分类号: | H01L33/64;H01L33/62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管,特别是指一种发光二极管的封装结构。
背景技术
目前,发光二极管(Light Emitting Diode,LED)因具光质佳及发光效率高等特性而逐渐取代冷阴极荧光灯(Cold Cathode Fluorescent Lamp,CCFL),成为照明装置中的发光组件。
现有的一种发光二极管的封装结构,是将晶粒封装后粘着于一印刷电路板(PCB)上,然后将电路板与一金属基板结合。同时,为了能够将封装后的晶粒固定于该PCB上,晶粒与PCB之间通常会经由银胶等粘结材料粘接。因此,在该发光二极管的封装结构中,晶粒与金属基板间的界面层较多,即晶粒产生的热量需经由基座、电极、焊料、PCB才能到达金属基板,这当中存在着较大热阻,导致晶粒产生的热量不能快速、及时地散发掉。晶粒发光时所产生的热能若不能及时导出,将会使晶粒的结面温度过高,进而影响其生命周期及发光效率。
发明内容
有鉴于此,实有必要提供一种制造具有较高散热效率发光二极管的封装结构。
一种发光二极管的封装结构,包括一导热基板、设置于导热基板上的一晶粒、及将晶粒封装于导热基板上的封装体,该晶粒与导热基板之间设有一金属共晶层,该金属共晶层由镀设在晶粒上的一金属层及镀设导热基板上的另一金属层共晶结合形成。
进一步地,该晶粒具有一与金属共晶层接触的衬底,一导热膏围设在衬底及金属共晶层周围,以使晶粒充分地与导热基板热连接。
相对于现有技术,本发明的发光二极管的封装结构将晶粒通过共晶直接结合于导热基板上,从而有效地减小了晶粒与导热基板之间的界面层,使晶粒产生的热量能够直接经由具有导热效率较高的金属共晶层及导热基板传导出去,提高了发光二极管的封装结构的散热效率;并且通过围设在衬底及金属共晶层周围的导热膏使晶粒充分地与导热基板热连接。
附图说明
图1为现有技术的发光二极管的封装结构的剖面示意图。
图2为本发明第二实施例的发光二极管的封装结构的剖面示意图。
图3为本发明第三实施例的发光二极管的封装结构的剖面示意图。
主要元件符号说明
导热基板 10、10a
晶粒 20
凹槽 12
导热膏 14
衬底 26
电极 22、22a
金属线 24
电绝缘层 30
电极电路层 40
共晶层 50
封装材料 60
发光二极管的封装结构 70、80、90
具体实施方式
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步的详细说明。
请参照图1,本发明第一实施例发光二极管的封装结构80包括一导热基板10、固定在导热基板10上的晶粒20及对晶粒20进行封装的封装材料60。
该导热基板10为一导热系数大于20(W/mK)的高导热系数基板,例如,硅(Si)或其他半导体板,铝(Al)、铜(Cu)等金属板。该导热基板10开设至少一凹槽12用以容置晶粒20,该凹槽的横截面大于该晶粒20的横截面。可以理解的,该导热基板10并不限于平板状,其也可以是具有多个不同平面的多角形。另外,当该导热基板10的材料为金属时,还可以于导热基板10一侧表面形成若干散热鳍片,以利于增加其散热效率。
该导热基板10上形成一电绝缘层30及该电绝缘层30上形成一电极电路层40。该电绝缘层30具体根据导热基板10采取不同的材料可为如下层级:
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