[发明专利]掺杂方法和制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201010241076.5 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101996870A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 河野正洋;町田暁夫;藤野敏夫 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/263;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 武玉琴;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 方法 制造 半导体器件 | ||
1.一种掺杂方法，该方法包括以下步骤：
第一步骤，将含有锑化合物的材料溶液施用到基板表面上，所述锑化合物含有锑以及选自氢、氮、氧和碳的元素；
第二步骤，使得所述材料溶液干燥，从而在所述基板上形成锑化合物层；以及
第三步骤，进行热处理，从而使得所述锑化合物层中的锑扩散到所述基板中。
2.如权利要求1所述的掺杂方法，其中，通过用能量束照射所述锑化合物层来进行所述热处理。
3.如权利要求1或2所述的掺杂方法，其中，所述材料溶液通过涂布、喷涂或印刷而施用到所述基板的表面上。
4.如权利要求1至3中任一项所述的掺杂方法，其中，扩散到所述基板中的锑的浓度由所述材料溶液的锑浓度来控制。
5.如权利要求1至4中任一项所述的掺杂方法，其中，所述基板的表面由半导体层构成。
6.如权利要求1至5中任一项所述的掺杂方法，其中，在所述热处理之后去除所述锑化合物层。
7.一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：
第一步骤，将含有锑化合物的材料溶液施用到基板表面上，所述锑化合物含有锑以及选自氢、氮、氧和碳的元素；
第二步骤，使得所述材料溶液干燥，从而在所述半导体层上形成锑化合物层；以及
第三步骤，进行热处理，从而使得所述锑化合物层中的锑扩散到所述半导体层中。
8.如权利要求7所述的制造半导体器件的方法，其中，
在所述第一步骤之前，将栅极绝缘膜和栅极电极依次堆叠在所述半导体层上；
在所述第一步骤中，将所述材料溶液施用到位于所述栅极绝缘膜和所述栅极电极的每一侧的所述半导体层的表面上。
9.如权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，
在所述第三步骤之后，去除所述锑化合物层，在所述栅极绝缘膜和所述栅极电极的两侧形成侧壁；
重复所述第一步骤、所述第二步骤和所述第三步骤，使锑扩散到位于所述侧壁外面的所述半导体层中，从而使这里的锑浓度高于所述侧壁下面的所述半导体层中的锑浓度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010241076.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：压纸机构
- 下一篇：选矿厂破碎系统带式输送机转运站
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
