[发明专利]栅极结构的制造方法有效
| 申请号： | 201010241532.6 | 申请日： | 2010-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102194680A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 冯家馨;王海艇;蔡瀚霆;郑振辉;吕伟元;罗先庆;陈冠仲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 制造 方法 | ||
1.一种栅极结构的制造方法，包括：
提供一硅基板；
沉积并图案化一虚置氧化层和一虚置栅极电极层于该基板上；
形成一牺牲层环绕该虚置氧化层和该虚置栅极电极层；
形成一含氮介电层环绕该牺牲层；
形成一层间介电层环绕该含氮介电层；
移除该虚置栅极电极层；
移除该虚置氧化层；
移除该牺牲层以形成一开口于该含氮介电层中；
沉积一栅极介电层；以及
沉积一栅极电极。
2.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中移除该虚置氧化层的步骤晚于移除该牺牲层以形成一开口于该含氮介电层中的步骤。
3.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中移除该虚置氧化层的步骤早于移除该牺牲层以形成一开口于该含氮介电层中的步骤。
4.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中移除该虚置氧化层的步骤与移除该牺牲层以形成一开口于该含氮介电层中的步骤为同步实施。
5.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中移除该虚置氧化层的步骤是使用一湿蚀刻工艺实施，其中该湿蚀刻工艺包括在氢氟酸溶液中移除该虚置氧化层。
6.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中该牺牲层包括一高介电常数介电层。
7.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中移除该牺牲层以形成一开口于该含氮介电层中的步骤是使用一干蚀刻工艺实施，其中该干蚀刻工艺是在约450至550W的功率，及约1至2mTorr的压力条件下，使用Cl2和BCl3做为蚀刻气体。
8.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中该牺牲层包括氧化硅、氟掺杂氧化硅、或碳掺杂氧化硅。
9.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中移除该虚置氧化层的步骤与移除该牺牲层以形成一开口于该含氮介电层中的步骤是同步使用一湿蚀刻工艺实施，其中该湿蚀刻工艺包括在氢氟酸溶液中同步移除该虚置氧化层和该牺牲层。
10.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中该开口的深度范围大抵介于15至45纳米之间，以及其中该开口的高度范围大抵介于30至60纳米之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
