[发明专利]提高监测晶片利用率的方法有效
| 申请号： | 201010241588.1 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101969036A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 郭国超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 监测 晶片 利用率 方法 | ||
1.一种提高监测晶片利用率的方法，包括：
提供监测晶片；
利用所述监测晶片监控离子注入工艺；
继续利用所述监测晶片监控快速热退火工艺。
2.如权利要求1所述的提高监测晶片利用率的方法，其特征在于，利用所述监测晶片监控离子注入工艺的步骤包括：
对所述监测晶片执行离子注入工艺；
测试所述监测晶片的电阻值，以监控所述离子注入工艺的注入效果。
3.如权利要求2所述的提高监测晶片利用率的方法，其特征在于，所述离子注入工艺注入的杂质为硼离子。
4.如权利要求2所述的提高监测晶片利用率的方法，其特征在于，所述离子注入工艺的注入能量大于200KeV，注入剂量小于1×1013/cm2。
5.如权利要求1所述的提高监测晶片利用率的方法，其特征在于，利用所述监测晶片监控快速热退火工艺的步骤包括：
在所述监测晶片上形成金属层；
对所述监测晶片执行快速热退火工艺，以形成金属硅化物层；
测试所述金属硅化物层的电阻值，以监控所述快速热退火工艺的效果。
6.如权利要求5所述的提高监测晶片利用率的方法，其特征在于，在所述监测晶片上形成金属层前，还包括：利用稀释的氢氟酸溶液清洗所述监测晶片。
7.如权利要求5所述的提高监测晶片利用率的方法，其特征在于，所述金属层的厚度为
8.如权利要求5所述的提高监测晶片利用率的方法，其特征在于，所述金属层的材质为钴、镍或钛。
9.如权利要求5所述的提高监测晶片利用率的方法，其特征在于，利用溅射的方式在所述监测晶片上形成金属层。
10.如权利要求5所述的提高监测晶片利用率的方法，其特征在于，所述快速热退火工艺的温度为400～700℃，时间为10～60秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
