[发明专利]提高监测晶片利用率的方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种提高监测晶片利用率的方法。

背景技术

在集成电路制造领域，离子注入工艺对半导体器件的电性能起到重要作用，因此，需要对离子注入的状况(包括注入剂量和注入能量等参数)进行监控，以避免出现异常。目前，通常是将监测晶片放置于离子注入设备中，对该监测晶片进行预设注入参数的离子注入，然后测试该监测晶片的注入区域的电阻值，依据该电阻值和预设注入参数来判断离子注入设备工艺是否出现异常。

此外，随着超大规模集成电路(ULSI)的迅速发展，半导体器件的集成度越来越高，尺寸越来越小。当器件尺寸缩小至次微米量级时，会相应的产生许多问题，如器件的电阻值的相应增加。为了克服此类问题，引入了自对准的金属硅化物(Salicide)工艺，该金属硅化物是一种具有热稳定性的金属化合物，具有较低的电阻值，在半导体器件的各个电极，如栅极、源极和漏极处或电连接处形成所述金属硅化物，可以显著减小电连接处的欧姆电阻。一般的，可通过以下步骤形成金属硅化物：首先，在晶片上形成金属层；接着，对所述晶片执行快速热退火工艺，以形成金属硅化物层。所述快速热退火工艺对形成的金属硅化物的质量至关重要，为了保证该快速热退火工艺的效果，需要对快速热退火设备进行监控。目前，在快速热退火过程中，通常在快速热退火设备的每个反应室内放置一片或多片监测晶片，通过测量该监测晶片的电阻值，来判定快速热退火设备是否正常工作。

目前，每一个离子注入的监测晶片只能监测一次离子注入工艺，即该离子注入的监测晶片在监测一次离子注入工艺后即报废，不再用于其它工艺，这使得该离子注入的监测晶片的利用率较低，增加了测试成本。因此，提供一种提高监测晶片利用率的方法，是十分必要的。

发明内容

本发明提供一种提高监测晶片利用率的方法，以解决现有的监测晶片的利用率较低，测试成本较高的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种提高监测晶片利用率的方法，包括：提供监测晶片；利用所述监测晶片监控离子注入工艺；继续利用所述监测晶片监控快速热退火工艺。

进一步的，在所述提高监测晶片利用率的方法中，利用所述监测晶片监控离子注入工艺的步骤包括：对所述监测晶片执行离子注入工艺；测试所述监测晶片的电阻值，以监控所述离子注入工艺的注入效果。

进一步的，在所述提高监测晶片利用率的方法中，所述离子注入工艺注入的杂质为硼离子。

进一步的，在所述提高监测晶片利用率的方法中，所述离子注入工艺的注入能量大于200KeV，注入剂量小于1×10¹³/cm²。

进一步的，在所述提高监测晶片利用率的方法中，利用所述监测晶片监控快速热退火工艺的步骤包括：在所述监测晶片上形成金属层；对所述监测晶片执行快速热退火工艺，以形成金属硅化物层；测试所述金属硅化物层的电阻值，以监控所述快速热退火工艺的效果。

进一步的，在所述提高监测晶片利用率的方法中，在所述监测晶片上形成金属层前，还包括：利用稀释的氢氟酸溶液清洗所述监测晶片。

进一步的，在所述提高监测晶片利用率的方法中，所述金属层的厚度为

进一步的，在所述提高监测晶片利用率的方法中，所述金属层的材质为钴、镍或钛。

进一步的，在所述提高监测晶片利用率的方法中，利用溅射的方式在所述监测晶片上形成金属层。

进一步的，在所述提高监测晶片利用率的方法中，所述快速热退火工艺的温度为400～700℃，时间为10～60秒。

由于采用了上述技术方案，与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明利用监测晶片监控离子注入工艺后，继续利用该监测晶片监控快速热退火工艺，提高了监测晶片的利用率，节约了测试成本。

附图说明

图1为本发明实施例所提供的提高监测晶片利用率的方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的提高监测晶片利用率的方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。