[发明专利]半导体集成电路测试装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路测试装置，包括：

IC测试器，所述IC测试器被构造为提供基于用于确定要被分选的半导体集成电路的预分频器的质量的条件的第一和第二控制信号；和

探针卡，所述探针卡被连接至所述IC测试器并且被构造为与所述半导体集成电路相连接，

其中所述探针卡包括：

VCO(压控振荡器)，所述VCO被构造为输出具有基于所述第一控制信号的给定频率的信号；

基准预分频器，所述基准预分频器被构造为分频从所述VCO输出的所述信号的所述给定频率；

功率可变装置，所述功率可变装置被构造为将具有所述给定频率和基于所述第二控制信号的给定功率的信号提供给要被分选的所述预分频器；

可变移相器，所述可变移相器被构造为取消基于信号经过所述基准预分频器的路径的长度和信号经过要被分选的所述预分频器的路径的长度之间的差的相位差；以及

转换电路部件，所述转换电路部件被构造为将基于具有由要被分选的所述预分频器分频的频率的信号和从所述基准预分频器输出的信号之间的相位差的信号转换为DC电压并且将所述DC电压输出到所述IC测试器。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路测试装置，其中所述可变移相器包括延迟线。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路测试装置，其中所述探针卡还包括相位比较电路部件，所述相位比较电路部件被构造为对要被分选的所述预分频器的输出信号的相位与所述基准预分频器的输出信号的相位进行比较并且输出基于所述相位差的信号。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路测试装置，其中所述相位比较电路部件包括：

PFD(相位频率检测器)，所述PFD被构造为输入要被分选的所述预分频器的所述输出信号和所述基准预分频器的所述输出信号；和

LPF(低通滤波器)，所述LPF被连接至所述PFD的输出侧。

5.根据权利要求3所述的半导体集成电路测试装置，

其中所述相位比较电路部件包括混频器电路，所述混频器电路被构造为输入要被分选的所述预分频器的所述输出信号和所述基准预分频器的所述输出信号，

其中所述转换电路部件包括平滑电路，所述平滑电路被构造为将所述混频器电路的输出信号转换为DC电压。

6.根据权利要求5所述的半导体集成电路测试装置，其中所述平滑电路包括积分器。

7.一种半导体集成电路测试方法，包括：

连接探针卡与包括要被分选的预分频器的半导体集成电路；

将基于用于确定要被分选的所述预分频器的质量的条件的第一和第二控制信号提供给所述探针卡；

输出具有基于所述第一控制信号的给定频率的信号；

通过使用所述探针卡的基准预分频器分频所述输出的信号的给定频率；

将具有所述给定频率和基于所述第二控制信号的给定功率的信号提供给要被分选的所述预分频器；

通过使用要被分选的所述预分频器分频所述提供的信号的给定频率；

取消基于信号经过所述基准预分频器的路径的长度和信号经过要被分选的所述预分频器的路径的长度之间的差的相位差；以及

将基于具有由要被分选的所述预分频器分频的频率的信号和从所述基准预分频器输出的信号之间的相位差的信号转换为DC电压。