[发明专利]半导体发光装置制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光装置制造方法，包括：

在形成有包括发光层的半导体层的基板主表面上形成分离沟槽，分离沟槽将半导体层分隔为多个元件；

在基板主表面上形成绝缘膜，绝缘膜覆盖半导体层并且覆盖所述分离沟槽的位于基板上的底表面；以及

通过从与所述主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分离，

激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。

2.如权利要求1所述的方法，其中，激光照射区域的边缘部分定位在分离沟槽中。

3.如权利要求1所述的方法，其中，激光照射区域的边缘部分定位在分离沟槽的半导体层侧。

4.如权利要求1所述的方法，还包括：

在基板的与分离沟槽相对的部分中形成沟槽。

5.如权利要求4所述的方法，其中，形成在基板中的沟槽的宽度小于分离沟槽的宽度。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

在分离沟槽的一部分中形成没有绝缘膜的空隙。

7.如权利要求6所述的方法，其中，形成空隙的步骤包括通过从与主表面相反的基板表面用第二激光局部照射分离沟槽中的绝缘膜而气化分离沟槽中的绝缘膜的一部分。

8.如权利要求1所述的方法，其中，基板在其平面图中包括多个区间，并且这些区间通过激光射击被照射。

9.如权利要求8所述的方法，其中，施加至这些区间中的相邻区间的激光照射区域在分离沟槽中彼此重叠。

10.如权利要求8所述的方法，其中，激光首先被施加至基板平面的外部区域。

11.如权利要求1所述的方法，其中，分离沟槽以网格状围绕元件周边形成。

12.如权利要求1所述的方法，其中，分离沟槽被充填用作绝缘膜的树脂。

13.如权利要求1所述的方法，还包括：

在与半导体层相反的绝缘膜表面上形成第一互连层和第二互连层，第一互连层和第二互连层被电连接至所述半导体层并且彼此分开。

14.如权利要求13所述的方法，还包括：

在与绝缘膜相反的第一互连层表面上形成第一金属柱；以及

在与绝缘膜相反的第二互连层表面上形成第二金属柱。

15.如权利要求14所述的方法，其中，第一互连层和第二互连层通过电镀而同时形成，并且第一金属柱和第二金属柱通过电镀而同时形成。

16.如权利要求14所述的方法，还包括：

利用树脂覆盖所述绝缘膜、第一金属柱周边和第二金属柱周边。

17.如权利要求16所述的方法，其中，在第一金属柱、第二金属柱和树脂形成之后，通过用激光照射半导体层而将基板与半导体层分离。

18.如权利要求1所述的方法，还包括：

在与基板相反的半导体层表面上形成电极；

在绝缘膜中形成到达电极的触点部；

在绝缘膜上形成互连层，互连层通过触点部被电连接至电极；以及

在互连层上形成金属柱。

19.如权利要求18所述的方法，还包括：

在绝缘膜上形成树脂层以便覆盖互连层和金属柱。

20.如权利要求19所述的方法，其中，分离沟槽被充填用作绝缘膜的树脂。