[发明专利]半导体发光装置制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于2009年8月3日提交的日本专利申请No.2009-180402并且要求其优先权；该申请的全部内容以引用方式并入本申请。

技术领域

本申请涉及半导体发光装置制造方法。

背景技术

将蓝光或近紫外线LED(发光二极管)用作光源并且借助于荧光体发射白光的发光装置已被广泛应用于照明装置以及图像显示装置的背光光源，并且越来越要求具有高效率。传统上，具有安装在引线框上的发光元件芯片且树脂成型的表面安装型发光装置是商业供应的。此外，出于提高光输出效率的目的，通过激光剥离工艺来去除发光层支持基板的技术被提出(例如，美国专利No.7,241,667)。

发明内容

本发明旨在提供一种可实现基板与半导体层之间良好分离的半导体发光装置制造方法。

为此，本发明提供了一种半导体发光装置制造方法，其包括：

在形成有包括发光层的半导体层的基板主表面上形成分离沟槽，分离沟槽将半导体层分为多个元件；

在基板的主表面上形成绝缘膜，绝缘膜覆盖半导体层并且覆盖位于基板上的分离沟槽底表面；以及

通过从与所述主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分离，

激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。

根据本发明的一个优选实施方式，激光照射区域的边缘部分定位在分离沟槽中。

根据本发明的一个优选实施方式，激光照射区域的边缘部分定位在分离沟槽的半导体层侧。

根据本发明的一个优选实施方式，所述方法还包括：

在基板的与分离沟槽相对的部分中形成沟槽。

根据本发明的一个优选实施方式，形成在基板中的沟槽的宽度小于分离沟槽。

根据本发明的一个优选实施方式，所述方法还包括：

在分离沟槽的一部分中形成没有绝缘膜的空隙。

根据本发明的一个优选实施方式，形成空隙的步骤包括通过从与主表面相反的基板表面用第二激光局部照射分离沟槽中的绝缘膜而气化分离沟槽中的一部分绝缘膜。

根据本发明的一个优选实施方式，基板在平面图中包括多个区间，并且这些区间通过激光射击被照射。

根据本发明的一个优选实施方式，施加至这些区间中的相邻区间的激光照射区域在分离沟槽中彼此重叠。

根据本发明的一个优选实施方式，激光首先被施加至基板平面的外部区域。

根据本发明的一个优选实施方式，分离沟槽以网格状围绕元件周边形成。

根据本发明的一个优选实施方式，分离沟槽被充填用作绝缘膜的树脂。

根据本发明的一个优选实施方式，所述方法还包括：

在与半导体层相反的绝缘膜表面上形成第一互连层和第二互连层，第一互连层和第二互连层被电连接至半导体层并且彼此分开。

根据本发明的一个优选实施方式，所述方法还包括：

在与绝缘膜相反的第一互连层表面上形成第一金属柱；以及

在与绝缘膜相反的第二互连层表面上形成第二金属柱。

根据本发明的一个优选实施方式，第一互连层和第二互连层通过电镀而同时形成，并且第一金属柱和第二金属柱通过电镀而同时形成。

根据本发明的一个优选实施方式，所述方法还包括：

利用树脂覆盖绝缘膜、第一金属柱周边和第二金属柱周边。

根据本发明的一个优选实施方式，在第一金属柱、第二金属柱和树脂形成之后，基板通过用激光照射半导体层而与半导体层分开。

根据本发明的一个优选实施方式，所述方法还包括：

在与基板相反的半导体层表面上形成电极；

在绝缘膜中形成到达电极的触点部；

在绝缘膜上形成互连层，互连层通过触点部被电连接至电极；以及

在互连层上形成金属柱。

根据本发明的一个优选实施方式，所述方法还包括：

在绝缘膜上形成树脂层以便覆盖互连层和金属柱。

根据本发明的一个优选实施方式，分离沟槽被充填用作绝缘膜的树脂。

附图说明

图1A至2D是示出了本发明实施方式的半导体发光装置制造方法的示意性剖视图；

图3A至3C是示出了本发明实施方式的半导体发光装置中的分离沟槽的示意图；

图4A至图5C是示出了另一实施方式的半导体发光装置制造方法的示意性剖视图；

图6A和6B是另一实施方式的半导体发光装置的示意性剖视图。

具体实施方式