[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

(A)第一电极，

(B)导体膜，

(C)有机层，其中设置有由有机发光材料制成的发光层，

(D)半透射反射膜，

(E)电阻层，以及

(F)第二电极，顺次层压上述所有层，其中

所述导体膜使来自所述发光层的一部分光透过，

所述第一电极反射已经透过所述导体膜的光，

所述第二电极使已经透过所述半透射反射膜的光透过，

所述第一电极上的所述导体膜的平均膜厚度为1nm到6nm，并且

所述有机层上的所述半透射反射膜的平均膜厚度为1nm到6nm。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述导体膜包含镁和银，或镁和钙。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述半透射反射膜包含镁和银，或镁和钙。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述有机层具有从所述第一电极侧起层压空穴注入层、空穴输送层、发光层和电子输送层的结构。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

与所述导体膜接触的所述有机层的一部分包含由下式(A)表示的吡嗪衍生物：

其中，Ar表示芳基；R₁和R₂中的每个独立地表示从以下各项构成的组中选择的取代基：氢、卤素、羟基、氨基、芳基氨基、具有20个及以下碳原子的取代的或未取代的羰基、具有20个及以下碳原子的取代的或未取代的羰基酯基、具有20个及以下碳原子的取代的或未取代的烷基、具有20个及以下碳原子的取代的或未取代的烯基、具有20个及以下碳原子的取代的或未取代的烷氧基、具有30个及以下碳原子的取代的或未取代的芳基、具有30个及以下碳原子的取代的或未取代的杂环基、腈基、氰基、硝基和甲硅烷基。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

构成所述电阻层的材料的电阻率为1×10⁶Ω·m到1×10¹⁰Ω·m，以及，

所述有机层上方的所述电阻层的厚度为0.1μm到2μm。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述发光层发出的光在由所述第一电极和所述导体膜之间的界面构成的第一界面和由所述半透射反射层和所述有机层之间的界面构成的第二界面之间谐振，然后，一部分光从所述第二电极输出。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，

当将从由所述第一电极和所述导体膜之间的界面构成的第一界面到所述发光层的最大发光位置的光程定义为OL₁，并将从由所述半透射反射层和所述有机层之间的界面构成的第二界面到所述发光层的最大发光位置的光程定义为OL₂时，满足以下表达式(1-1)和(1-2)：

0.7{-Φ₁/(2π)+m₁}≤(2×OL₁)/λ≤1.2{-Φ₁/(2π)+m₁}(1-1)

0.7{-Φ₂/(2π)+m₂}≤(2×OL₂)/λ≤1.2{-Φ₂/(2π)+m₂}(1-2)

其中，

λ表示所述发光层中发出的光的光谱的最大峰值波长；

Φ₁表示在所述第一界面处产生的反射光的相移量，单位为弧度，其中，-2π＜Φ₁≤0；

Φ₂表示在所述第二界面处产生的反射光的相移量，单位为弧度，其中，-2π＜Φ₂≤0；并且

(m₁，m₂)的值是(0，0)、(1，0)或(0，1)。