[发明专利]与沟槽-栅极DMOS兼容的集成保护式肖特基二极管结构及方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

对半导体基板进行蚀刻以在其中形成沟槽，所述沟槽包括第一侧壁、第二侧壁和底部；

将具有第一类导电性的掺杂剂注入到沟槽底部的半导体基板中以及沟槽的第一侧壁和第二侧壁中以形成体接触区域；

穿透沟槽底部的体接触区域的厚度进行蚀刻以除去经注入的体接触区域的一部分，使得经注入的体接触区域的第一部分和第二部分分别保持在第一和第二侧壁中，其中经注入的体接触区域的第一部分和第二部分被设置在肖特基二极管区域和晶体管栅极位置之间；以及

用具有与第一类导电性相反的第二类导电性的掺杂剂注入沟槽底部的半导体基板。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

通过将具有第一类导电性的掺杂剂注入到沟槽底部的半导体基板中，调节肖特基二极管的势垒高度。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，

在形成体接触区域并调节肖特基二极管的势垒高度之后，沟槽底部的半导体基板的净导电性是第一类导电性。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，

在形成体接触区域并调节肖特基二极管的势垒高度之后，沟槽底部的半导体基板的净导电性是第二类导电性。

5.如权利要求1所述的方法，还包括：

在沟槽内形成至少一个导体，

其中，穿透体接触区域的厚度进行蚀刻、将具有第一类导电性的掺杂剂注入到沟槽底部的基板中以及在沟槽内形成至少一个导体导致了在体结上方一位置处形成了肖特基二极管。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，

将所述半导体基板掺杂成净第一导电性类型，并且所述方法还包括：

在将具有第二类导电性的掺杂剂注入到沟槽底部的基板中的期间，用具有与第一导电性类型相反的第二导电性类型的掺杂剂对沟槽底部掺杂到一个浓度，所述浓度足以使净掺杂剂浓度从第一导电性类型变为第二导电性类型。

7.如权利要求6所述的方法，还包括：

用具有第一导电性类型的掺杂剂对沟槽底部的基板注入到一个浓度，所述浓度足以使沟槽底部的基板的净掺杂浓度从第二导电性类型变为第一导电性类型。

8.如权利要求6所述的方法，还包括：

用具有第一导电性类型的掺杂剂对沟槽底部的基板注入到一个浓度，所述浓度不足以使沟槽底部的基板的净掺杂浓度从第二导电性类型变为第一导电性类型。

9.一种半导体器件，包括：

半导体基板；

形成于半导体基板内的多个晶体管，其中每个晶体管包括：

具有第一侧壁、第二侧壁和底部的沟槽；

包括第一体接触区域和第二体接触区域的体，第一体接触区域和第二体接触区域分别邻接着第一侧壁和第二侧壁；

在沟槽底部与沟槽内的导体的界面处的肖特基二极管，

其中所述体的下部是在沟槽底部与沟槽内的导体之间的界面处所形成的肖特基二极管之下。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，

所述体的至少一部分比沟槽底部更浅。