[发明专利]用于制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201010245435.4 | 申请日： | 2010-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102347206A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 孙武;尹晓明;张海洋;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种用于制作半导体器件的方法，所述方法包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有前端器件结构，并且在所述前端器件结构上形成有低介电常数介电层；
在所述低介电常数介电层上形成具有图案的掩蔽层；
以所述掩蔽层作为掩膜，蚀刻所述低介电常数介电层，以露出所述低介电常数介电层的至少一部分侧壁；
用气体对所述至少一部分侧壁进行吹扫；以及
去除所述掩蔽层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述低介电常数介电层的介电常数小于3。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述低介电常数介电层的厚度为1000～5000
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩蔽层是光致抗蚀剂层。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂层是通过旋涂法涂覆而形成的，并且其厚度为2000～6000
6.根据权利要求4所述的方法，其中，以包含CF4、CHF3、Ar和O2的混合气体作为源气体通过等离子体干法蚀刻工艺蚀刻所述低介电常数介电层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩蔽层包含有机介质层和光致抗蚀剂层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述有机介质层和所述光致抗蚀层是通过旋涂法涂覆而形成的，并且所述有机介质层的厚度为2000～6000
9.根据权利要求7所述的方法，其中，以包含CF4、CHF3、Ar和O2的混合气体作为源气体通过等离子体干法蚀刻工艺蚀刻所述有机介质层，以使其具有所述图案。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，以包含CF4、CO2和Ar的混合气体作为源气体通过等离子体干法蚀刻工艺蚀刻所述低介电常数介电层。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，以O2、O2/H2O或CO2作为灰化气体通过等离子体灰化工艺去除所述掩蔽层。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述吹扫是在压强为100～400mT、功率为200～1000w且温度为10～50℃的条件下进行的。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气体包含He和Ar中的一种或两种。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气体包含N2、H2和NH3中的一种或多种。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述气体的流速为200～1000sccm。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述吹扫的持续时间为30～120秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
