[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括一基板、结合于该基板上的一LED芯片及封装该LED芯片的一封装体，其特征在于：该发光二极管该还包括设置在该封装体外侧表面上的一荧光粉层，该LED芯片的出射光的光强I相对于出射角θ呈朗伯(Lambertian)分布，即出射光的光强I与出射角θ满足：

I＝I₀xcosθ，0°≤θ≤90°；

其中，I₀为该LED芯片中心轴处出射光的光强，出射角θ为出射光与中心轴的夹角，

该荧光粉层中荧光粉的浓度、数目或厚度相对于出射角θ也呈朗伯分布。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该荧光粉层外侧包覆一透光的保护层。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该荧光粉层的厚度小于或等于700μm。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：该荧光粉层的厚度小于或等于500μm。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该基板开设一凹槽，所述LED芯片容置于该凹槽并结合于该凹槽的内表面，该封装体填充该凹槽，且该封装体的外侧表面与该凹槽的肩部齐平，该荧光粉层形成于该封装体的外侧表面。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该LED芯片结合于该基板一侧表面上，该封装体呈半球状，该荧光粉层覆盖在半球状的封装体的外侧表面上。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该基板的材料是铜、锡、铝、金、银、钼、钨、镁或上述金属的合金。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该基板采用氧化铝、氮化铝、氧化铍或碳化硅制成。