[发明专利]芯片尺寸封装件及其制法有效
申请号: | 201010248507.0 | 申请日: | 2010-08-05 |
公开(公告)号: | CN102376590A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 张江城;柯俊吉;黄建屏 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/28;H01L23/485 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;张硕 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 尺寸 封装 及其 制法 | ||
1.一种芯片尺寸封装件的制法,其特征在于,包括:
提供多个具相对作用面及非作用面的芯片及一透明载具,该芯片作用面上设有多个焊垫;在该芯片作用面上覆盖有保护层;将该芯片通过其非作用面而固定于该透明载具上;
以第一包覆层包覆该芯片并外露出该芯片作用面上的保护层;
移除该保护层以外露出该芯片作用面;
在该芯片作用面及第一包覆层上设置介电层,并使该介电层形成开口以外露出该焊垫;以及
在该介电层上形成线路层,并使该线路层电性连接至该焊垫。
2.根据权利要求1所述的芯片尺寸封装件的制法,其特征在于,还包括:在该介电层及线路层上设置拒焊层,并使该拒焊层形成多个开口以植设焊球。
3.根据权利要求2所述的芯片尺寸封装件的制法,其特征在于,还包括:以激光使该透明载具自其与该第一包覆层及芯片的介面分离。
4.根据权利要求1所述的芯片尺寸封装件的制法,其特征在于,还包括:在设置该介电层之后,以激光使该透明载具自其与该第一包覆层及芯片的介面分离。
5.根据权利要求1所述的芯片尺寸封装件的制法,其特征在于,还包括:在形成该线路层的步骤后,以激光使该透明载具自其与该第一包覆层及芯片的介面分离。
6.根据权利要求4或5所述的芯片尺寸封装件的制法,其特征在于,还包括:在分离该透明载具后,在该介电层及线路层上设置拒焊层,并使该拒焊层形成多个开口以植设焊球。
7.根据权利要求1所述的芯片尺寸封装件的制法,其特征在于,该透明载具表面还设有第二包覆层,且该芯片通过其非作用面而固定于该第二包覆层上。
8.根据权利要求7所述的芯片尺寸封装件的制法,其特征在于,该第二包覆层是通过涂布方式形成。
9.根据权利要求7所述的芯片尺寸封装件的制法,其特征在于,该第二包覆层为聚酰亚胺材料。
10.根据权利要求1所述的芯片尺寸封装件的制法,其特征在于,该第一包覆层的高度大于该芯片的高度。
11.根据权利要求1所述的芯片尺寸封装件的制法,其特征在于,还包括:以重布线技术在该介电层及线路层上形成增层结构。
12.根据权利要求1所述的芯片尺寸封装件的制法,其特征在于,该芯片及透明载具的制造工艺包括:提供一具多个芯片的晶圆,该晶圆及芯片具有相对的作用面及非作用面,以于该晶圆作用面上敷设保护层,接着进行晶圆切割,以形成多个作用面上设有保护层的芯片,以将各该芯片通过其非作用面而固定于该透明载具上。
13.一种芯片尺寸封装件,其特征在于,包括:
芯片,该芯片具有相对的作用面及非作用面,且在该芯片作用面设有多个焊垫;
第一包覆层,包覆于该芯片周围,且该第一包覆层的高度大于该芯片的高度;
介电层,设于该芯片作用面及第一包覆层上,且该介电层具多个开口以外露该焊垫;
线路层,设于该介电层上且电性连接至该焊垫;以及
第二包覆层,设于该芯片非作用面及第一包覆层上。
14.根据权利要求13所述的芯片尺寸封装件,其特征在于,还包括:
拒焊层,设于该介电层及线路层上,该拒焊层具有多个开口以外露出线路层预定部分;以及
焊球,设于该线路层预定部分上。
15.根据权利要求13所述的芯片尺寸封装件,其特征在于,还包括增层结构,形成于该介电层及线路层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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