[发明专利]硅基液晶成像器

权利要求书

1.一种硅基液晶成像器，其特征在于，包括：

衬底基板；

反射偏振电极阵列，形成在所述衬底基板上，所述反射偏振电极阵列包括多个反射偏振电极，每个反射偏振电极的图案构造为具有彼此平行且规则间隔并电绝缘的缝隙的平面结构；

平面液晶单元，形成在所述反射偏振电极阵列的上方；

透明导电膜层，形成在所述平面液晶单元的上方；

透明面板，置于所述透明导电膜层上且朝向入射光。

2.根据权利要求1所述的硅基液晶成像器，其特征在于：

所述反射偏振电极阵列上覆盖有第一取向层，且所述透明导电膜层上覆盖有第二取向层，所述平面液晶单元夹持在所述第一取向层和第二取向层之间。

3.根据权利要求1所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述反射偏振电极阵列上沉积有透明保护绝缘覆层，所述平面液晶单元置于所述透明保护绝缘覆层之上。

4.根据权利要求3所述的硅基液晶成像器，其特征在于：形成的所述透明保护绝缘覆层进入各所述反射偏振电极之间的缝隙，各所述反射偏振电极通过透明保护绝缘覆层彼此绝缘。

5.根据权利要求1所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述硅基液晶成像器还包括驱动电路，所述驱动电路与各反射偏振电极分别连接，为各反射偏振电极分别独立地提供电荷充电和放电。

6.根据权利要求1所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述反射偏振电极阵列还包括多个像素绝缘体，所述像素绝缘体置于各反射偏振电极之间以保持反射偏振电极之间彼此绝缘。

7.根据权利要求1所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述透明导电膜层由铟锡氧化物制成。

8.根据权利要求1所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述衬底基板由半导体制成，所述半导体为硅、锗、镓和砷中的任意一种或任意组合。

9.根据权利要求1所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述衬底基板由固态绝缘材料中的任意一种或任意组合制成，所述固态绝缘材料包括玻璃和聚合体。

10.根据权利要求2所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述第一取向层和第二取向层由聚酰亚胺、氧化物、氮化物和碳中的任意一种或任意组合制成。

11.根据权利要求3所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述透明保护绝缘覆层由聚酰亚胺、二氧化硅、氮化硅和碳中的任意一种或任意组合制成。

12.根据权利要求1～11任一所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述反射偏振电极各自包括多个平行伸长导电元件，所述导电元件彼此电连接且平行于所述平面液晶单元。

13.根据权利要求12所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述伸长导电元件由包括铝、钛、铜、铂、银和金的反射金属及其合金中的任意一种或其组合制成。

14.根据权利要求1所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述反射偏振电极分为三组，第一组反射偏振电极构造为具有第一偏振反射光谱，第二组反射偏振电极构造为具有第二偏振反射光谱，第三组反射偏振电极构造为具有第三偏振反射光谱。

15.根据权利要求14所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述第一偏振反射光谱、第二偏振反射光谱和第三偏振反射光谱分别对应于蓝色、绿色和红色的带通光谱；或，所述第一偏振反射光谱、第二偏振反射光谱和第三偏振反射光谱分别对应于黄色、红紫色和蓝绿色的带阻光谱。

16.根据权利要求14或15所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述第一组反射偏振电极、第二组反射偏振电极和第三组反射偏振电极在空间上各自独立地构造为规则交织的平面图案。