[发明专利]低成本电可擦可编程只读存储器阵列

权利要求书

1.一种低成本电可擦可编程只读存储器阵列，其特征在于，包含：

复数条平行的位元线，其是区分为复数组位元线，该些组位元线包含一第一组位元线；

复数条平行的字线，其是与该些位元线互相垂直，并包含第一、第二字线；

复数条平行的共源线，是与该些字线互相平行，并包含一第一共源线；以及

复数子存储器阵列，每一该子存储器阵列连接一组该位元线、二该字线与一该共源线，每一该子存储器阵列包含：

一第一记忆晶胞，其是连接该第一组位元线、该第一共源线与该第一字线，以及

一第二记忆晶胞，其是连接该第一组位元线、该第一共源线与该第二字线，该第一、第二记忆晶胞互相对称配置，并分别位于该第一共源线的相异两侧。

2.根据权利要求1所述的低成本电可擦可编程只读存储器阵列，其特征在于，该第一组位元线包含一该位元线，其是连接该第一、第二记忆晶胞。

3.根据权利要求1所述的低成本电可擦可编程只读存储器阵列，其特征在于，该第一组位元线包含二该位元线，二该位元线分别连接该第一、第二记忆晶胞。

4.根据权利要求2或3所述的低成本电可擦可编程只读存储器阵列，其特征在于，相邻的二该子存储器阵列中，该二第二记忆晶胞彼此相邻且连接同一该位元线，以共用同一接点。

5.根据权利要求2所述的低成本电可擦可编程只读存储器阵列，其特征在于，该第一、第二记忆晶胞皆具位于P型基板或P型井区中的N型场效晶体管时，该第一、第二记忆晶胞皆作为一操作记忆晶胞，在选取该些操作记忆晶胞其中之一作为选取记忆晶胞，以进行操作时，与该选取记忆晶胞连接同一该位元线，且未与该选取记忆晶胞连接同一该共源线的该些操作记忆晶胞，作为复数同位元记忆晶胞，与该选取记忆晶胞连接同一该位元线、同一该共源线的该操作记忆晶胞，作为一同源记忆晶胞，与该选取记忆晶胞连接同一该字线的该些操作记忆晶胞，作为复数同字记忆晶胞，其余该些操作记忆晶胞则作为复数未选取记忆晶胞，对该选取记忆晶胞进行操作的方法包含：

于该选取记忆晶胞连接的该P型基板或该P型井区施加基底电压V_subp，并于该选取记忆晶胞连接的该位元线、该字线、该共源线分别施加第一位元电压V_b1、第一字电压V_w1、第一共源电压V_S1，于每一该同位元记忆晶胞连接的该字线、该共源线分别施加第二字电压V_w2、第二共源电压V_S2，于每一该同字记忆晶胞连接的该位元线、该共源线分别施加第二位元电压V_b2、该第一共源电压V_S1，于该同源记忆晶胞连接的该字线施加该第二字电压V_w2，于每一该未选取记忆晶胞连接的该位元线、该字线、该共源线分别施加该第二位元电压V_b2、该第二字电压V_w2、该第二共源电压V_S2，并满足下列条件：

写入时，满足V_subp为接地，V_b2为浮接；

V_b1＞V_S1；

V_w1＞V_S1；

V_b1＞V_S1＞0；

V_b1＞V_w2＞0；以及

V_b1＞V_S2＞0；以及

抹除时，满足V_subp为接地，V_S1为接地，V_b2为浮接；

V_b1＞V_w2＞V_w1≥0；以及

V_b1＞V_S2＞V_w1≥0。