[发明专利]低成本电可擦可编程只读存储器阵列

说明书

技术领域

本发明是有关一种存储器阵列，特别是关于一种低成本电可擦可编程只读存储器(EEPROM)阵列。

背景技术

互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)制程技术已成为特殊应用集成电路(application specific integrated circuit，ASIC)的常用制造方法。在电脑资讯产品发达的今天，快闪存储器(Flash)与电可擦可编程只读只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM)由于皆具备有电性编写和抹除资料的非易失性存储器功能，且在电源关掉后资料不会消失，所以被广泛使用于电子产品上。

非易失性存储器是为可编程的，其是用以储存电荷以改变存储器的晶体管的栅极电压，或不储存电荷以留下原存储器的晶体管的栅极电压。抹除操作则是将储存在非易失性存储器中的电荷移除，使得非易失性存储器回到原存储器的晶体管的栅极电压。对于目前的快闪存储器架构而言，虽然面积较小，成本较低，但只支持大区块的抹写，无法只对特定之一位元记忆晶胞进行抹写，在使用上较不方便；另外对于电子式可清除程式化只读存储器的架构而言，具有位元组写入(byte write)的功能，相对快闪存储器而言使用较方便，且其一位元记忆晶胞电路图、及记忆晶胞结构剖视图，分别如图1、图2所示。每一记忆晶胞包含二晶体管：一记忆晶体管10、一选择晶体管12与一电容结构13，电容结构13是设于记忆晶体管10的上方，以作为一多晶硅记忆晶胞，由于这样的结构，造成面积较快闪存储器大，且在进行位元抹除时，往往需要将未选到的位置以晶体管加以隔离，进而提高成本需求。

因此，本发明是在针对上述的困扰，提出一种低成本电可擦可编程只读存储器(EEPROM)阵列，以解决习知所产生的问题。

发明内容

本发明的主要目的，在于提供一种低成本电可擦可编程只读存储器(EEPROM)阵列，其是具有小面积与低成本的电可擦可编程只读存储器架构，更可利用偏压方式，达成位元组写入及抹除的功能。

为达上述目的，本发明提供一种低成本电可擦可编程只读存储器阵列，包含复数条平行的位元线，其是区分为复数组位元线，此些组位元线包含一第一组位元线，位元线与复数条平行的字线互相垂直，且字线包含一第一、第二字线，并与复数条平行的共源线互相平行，共源线包含一第一共源线。另有复数子存储器阵列，每一子存储器阵列连接一组位元线、二字线与一共源线，每一子存储器阵列包含一第一、第二记忆晶胞，第一记忆晶胞连接第一组位元线、第一共源线与第一字线，第二记忆晶胞连接第一组位元线、第一共源线与第二字线，第一、第二记忆晶胞互相对称配置，并分别位于第一共源线的相异两侧。

第一、第二记忆晶胞皆作为一操作记忆晶胞，在选取操作记忆晶胞其中之一作为选取记忆晶胞，以进行操作时，与选取记忆晶胞连接同一位元线的操作记忆晶胞，且未与选取记忆晶胞连接同一共源线的操作记忆晶胞，作为复数同位元记忆晶胞，与选取记忆晶胞连接同一位元线、共源线的操作记忆晶胞，作为同源记忆晶胞，与选取记忆晶胞连接同一字线的操作记忆晶胞，作为复数同字记忆晶胞，其余操作记忆晶胞则作为复数未选取记忆晶胞。

第一、第二记忆晶胞可皆具位于P型井区或P型基板中的N型场效晶体管，亦可皆具位于N型井区或N型基板中的P型场效晶体管。