[发明专利]多层基板及其制造方法有效
申请号: | 201010250296.4 | 申请日: | 2005-09-16 |
公开(公告)号: | CN101896036A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 川畑贤一;阿部寿之;胜俣正史 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K3/46;H05K3/42 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层基板,其特征在于,包括:
层叠的多个绝缘层;和
在所述多个绝缘层各个之间形成的、未贯穿该多个绝缘层中的任意一层的配线图形,并且,
所述配线图形包括具有预定厚度的第1配线图形和厚度大于所述第1配线图形的第2配线图形。
2.根据权利要求1所述的多层基板,其特征在于,所述第2配线图形的至少一部分嵌入所述多个绝缘层中的预定绝缘层内。
3.根据权利要求1所述的多层基板,其特征在于,还包括连接不同的层中存在的配线图形的通孔,在该通孔的内部填充有导电性材料。
4.根据权利要求1所述的多层基板,其特征在于,所述第1配线图形的厚度在1μm~18μm的范围内选择,所述第2配线图形的厚度被选择为使得所述第2配线图形的厚度与所述第1配线图形的厚度之比处于1.5~20的范围内。
5.根据权利要求1所述的多层基板,其特征在于,所述第2配线图形的至少一部分用作为扼流圈。
6.根据权利要求1所述的多层基板,其特征在于,所述第1和第2配线图形构成嵌入化的电容元件或电感元件。
7.一种多层基板的制造方法,其特征在于,包括:
在构成多层基板的一部分的绝缘层的表面上形成具有预定厚度的第1配线图形的第1工序;
在所述绝缘层上形成未贯穿该绝缘层的图形形成用槽的第2工序;和
用导电性材料填充所述图形形成用槽的内部,从而形成厚度大于所述第1配线图形的第2配线图形的第3工序。
8.根据权利要求7所述的多层基板的制造方法,其特征在于,
所述第2工序包括形成通孔的工序,
所述第3工序包括用所述导电性材料填充所述通孔的内部的工序。
9.根据权利要求8所述的多层基板的制造方法,其特征在于,所述第2工序按照另一绝缘层中包含的导电层构成所述通孔的底部的方式形成所述通孔。
10.根据权利要求8所述的多层基板的制造方法,其特征在于,所述第3工序有选择地形成填充所述通孔和所述图形形成用槽的内部的导电性材料。
11.根据权利要求7所述的多层基板的制造方法,其特征在于,所述绝缘层是核心基板。
12.根据权利要求7所述的多层基板的制造方法,其特征在于,所述绝缘层是设置于核心基板上的增长层。
13.一种多层基板的制造方法,其特征在于,包括:
在构成多层基板的一部分的绝缘层的表面上形成具有预定厚度的第1配线图形的第1工序;和
在所述绝缘层的表面上形成厚度大于所述第1配线图形、并且未贯穿该绝缘层的第2配线图形的第2工序。
14.根据权利要求13所述的多层基板的制造方法,其特征在于,所述第2工序包括形成通孔的工序和用所述导电性材料填充所述通孔的内部的工序。
15.根据权利要求14所述的多层基板的制造方法,其特征在于,所述第2工序按照另一绝缘层中包含的导电层构成所述通孔的底部的方式,形成所述通孔。
16.根据权利要求13所述的多层基板的制造方法,其特征在于,所述绝缘层是核心基板。
17.根据权利要求13所述的多层基板的制造方法,其特征在于,所述绝缘层是设置于核心基板上的增长层。
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