[发明专利]硅穿孔的形成方法

权利要求书

1.一种硅穿孔的形成方法，包括：

提供一半导体基底，其具有第一区与第二区；

形成一介电层于该半导体基底上，其中该介电层于该第一区具有一第一开口；

形成一第一导电层于该介电层上且填入该第一开口；

形成一第二开口于该第二区且延伸穿过该第一导电层、该介电层、及部分的该半导体基底，其中该第二开口具有侧壁与底部；

形成一保护层于该第一导电层上且顺应性覆盖该第二开口的侧壁与底部；

形成一第二导电层于该保护层上且填入该第二开口；以及

去除位于该第一、第二开口以外的该第二导电层、该保护层、及该第一导电层，其中残留于该第二开口内的该第二导电层形成一硅穿孔结构。

2.如权利要求1所述的硅穿孔的形成方法，其中所述去除该第二导电层、该保护层、及该第一导电层的步骤是以化学机械研磨工艺进行。

3.如权利要求1所述的硅穿孔的形成方法，其中残留于该第一开口内的该第一导电层形成一接触插塞。

4.如权利要求1所述的硅穿孔的形成方法，其中该第一导电层包含钨、钨合金、铜、或铜合金，其中该第二导电层包含铜、或铜合金，其中该保护层包含氧化物。

5.如权利要求1所述的硅穿孔的形成方法，其中在形成该第二导电层的前，还包括：于该保护层上形成一阻挡层，其中该阻挡层包含Ti、Ta、TiN、或TaN。

6.一种硅穿孔的形成方法，包括：

提供一半导体基底，其具有第一区与第二区；

形成一介电层于该半导体基底上；

形成一第一开口于该第一区的该介电层中；

形成一第二开口于该第二区且延伸穿过该介电层及部分的该半导体基底；

形成一导电层于该介电层上且填入该第一、第二开口；以及

去除位于该第一、第二开口以外的该导电层以露出该介电层，其中残留于该第二开口内的该导电层形成一硅穿孔结构。

7.如权利要求6所述的硅穿孔的形成方法，其中所述去除该导电层的步骤是以化学机械研磨工艺进行。

8.如权利要求6所述的硅穿孔的形成方法，其中残留于该第一开口内的该导电层形成一接触插塞。

9.如权利要求6所述的硅穿孔的形成方法，其中该导电层包含钨、钨合金、铜或铜合金。

10.如权利要求6所述的硅穿孔的形成方法，其中在形成该导电层的前，还包括：形成一保护层顺应性覆盖该第二开口的侧壁与底部。

11.如权利要求6所述的硅穿孔的形成方法，其中在形成该导电层的前，还包括：于该介电层上形成一阻挡层，其中该阻挡层包含Ti、Ta、TiN、或TaN。