[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

一底电极接触形成于一基底之上；

一介电层形成于该底电极接触之上；

一加热元件形成于该介电层中，其中该加热元件配置于二个气隙之间，且该气隙将该加热元件与该介电层分隔；以及

一相变化元件形成于该加热元件之上，其中该相变化元件包含一实质上非晶质背材及一有源区，该有源区能在非晶质及结晶相间进行相变化。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该介电层由一氧化硅层及一形成该氧化硅层上的氮化硅层所组成。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述二个气隙的每一个形成于氧化硅中。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述二个气隙的每一个的高度大体上等于该加热元件的高度。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该相变化元件包含一掺杂物，而该掺杂物择自由硅、氮、及其结合所组成的族群。

6.一种半导体装置，包含：

一基底；

一底电极接触形成于该基底之上；

一氧化硅层形成于该底电极接触之上；

一氮化硅层形成于该氧化硅层之上；

一加热元件形成于该氧化硅层及该氮化硅层之中；

二个气隙配置于该氧化硅中，其中该气隙将该加热元件与该氧化硅层及氮化硅层分隔，且所述二个气隙的每一个的高度大体上等于该加热元件的高度；

一相变化元件形成于该加热元件之上，其中该相变化元件包含一实质上非晶质背材及一有源区，该有源区能在非晶质及结晶相间进行相变化；以及

一传导元件形成于该相变化元件之上。

7.一种形成半导体装置的方法，包含：

提供一具有一介电层形成于其上的基底；

形成一加热元件于该介电层之中；

形成一气隙用以将该加热元件的一侧与该介电层相隔；以及

形成一相变化元件于该加热元件之上，其中该相变化元件包含一实质上非晶质背材及一有源区，该有源区能在非晶质及结晶相间进行相变化。

8.如权利要求7所述的方法，其中形成该气隙的步骤包含以高密度等离子体沉积法沉积一氧化硅层于一沟槽中，用以将该加热元件与该介电层相隔。

9.如权利要求7所述的方法，其中形成该相变化元件的步骤包含：

沉积一絶缘层于该加热元件上；

形成一沟槽于该絶缘层中，其中该沟槽直接位于该加热元件上；以及

沉积一相变化材料层于该絶缘层上并填入该沟槽中。

10.如权利要求7所述的方法，更包含形成二个气隙用以将该加热元件的两侧与该介电层分隔，其中所述二个气隙的每一个的高度大体上等于该加热元件的高度。