[发明专利]具有传感器的掩膜版盒有效
申请号: | 201010250997.8 | 申请日: | 2010-08-09 |
公开(公告)号: | CN102376606A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 古震维;吕绍玮;林志铭 | 申请(专利权)人: | 家登精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;G03F1/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 传感器 掩膜版盒 | ||
1.一种具有传感器的掩膜版盒,其特征在于包括:
一下盖板,具有一第一内表面,且该第一内表面上形成有多个固定件;
一上盖板,具有一第二内表面及相对于该第二内表面另一侧的一外表面,且配置至少一贯穿该外表面及该第二内表面的贯穿孔,且于该下盖板与该上盖板盖合时,该第一内表面与该第二内表面形成一第一容置空间;
一子下盖板,位于该第一容置空间内并与该多个固定件接触,且该子下盖板具有一子第一内表面;
一子上盖板,位于该第一容置空间内,其具有一子第二内表面及相对于该第二内表面另一侧的一子外表面,且于该子下盖板与该子上盖板盖合时,该子第一内表面与该子第二内表面形成一第二容置空间;以及
至少一传感器,配置于该贯穿孔内,每一该传感器具有一感测端,且该感测端位于该上盖板的第二内表面上。
2.一种具有传感器的掩膜版盒,其特征在于包括:
一下盖板,具有一第一内表面,且该第一内表面上形成有多个固定件;
一上盖板,具有一第二内表面及相对于该第二内表面另一侧的一外表面,且该上盖板的外表面向该下盖板的第一内表面方向形成一凹槽部,且配置至少一贯穿该外表面及该第二内表面的贯穿孔于该凹槽部上,且于该下盖板与该上盖板盖合时,该第一内表面与该第二内表面形成一第一容置空间;
一子下盖板,位于该第一容置空间内并与该多个第一固定件接触,且该子下盖板具有一子第一内表面;
一子上盖板,位于该第一容置空间内,其具有一子第二内表面及相对于该第二内表面另一侧的一子外表面,且于该子下盖板与该子上盖板盖合时,该子第一内表面与该子第二内表面形成一第二容置空间;以及
至少一传感器,配置于该上盖板的该凹槽部的该贯穿孔内,每一该传感器具有一感测端,且该感测端位于该上盖板的第二内表面上。
3.一种具有传感器的掩膜版盒,其特征在于包括:
一下盖板,具有一第一内表面,且该第一内表面上形成有多个固定件;
一上盖板,具有一第二内表面及相对于该第二内表面另一侧的一外表面,且该上盖板的外表面向该下盖板的第一内表面方向形成一凹槽部,且于该下盖板与该上盖板盖合时,该第一内表面与该第二内表面形成一第一容置空间;
一子下盖板,位于该第一容置空间内并与该多个第一固定件接触,且该子下盖板具有一子第一内表面;
一子上盖板,位于该第一容置空间内,其具有一子第二内表面及相对于该第二内表面另一侧的一子外表面,且于该子下盖板与该子上盖板盖合时,该子第一内表面与该子第二内表面形成一第二容置空间;以及
至少一传感器,配置于该上盖板的该凹槽部的第二内表面上。
4.如权利要求1、2或3所述的掩膜版盒,其特征在于,该传感器为一种压力传感器。
5.如权利要求1、2或3所述的掩膜版盒,其特征在于,进一步配置一温湿度测量装置,并设置于该第一容置空间内。
6.如权利要求4所述的掩膜版盒,其特征在于,进一步配置一数据显示器,且电性连接于该压力传感器。
7.如权利要求5所述的掩膜版盒,其特征在于,进一步配置一数据显示器,且电性连接于该温湿度测量装置。
8.如权利要求1或2所述的掩膜版盒,其特征在于,该传感器进一步具有调整端。
9.如权利要求1所述的掩膜版盒,其特征在于,进一步配置一凹槽部于该上盖板上。
10.如权利要求1所述的掩膜版盒,其特征在于,进一步配置至少一把手位于该上盖板之上。
11.如权利要求2或3所述的掩膜版盒,其特征在于,进一步配置至少一把手位于该上盖板之上且该把手横跨于该凹槽部上。
12.如权利要求1、2或3所述的掩膜版盒,其特征在于,进一步配置一对突缘位于该上盖板的该外表面上。
13.如权利要求1、2或3所述的掩膜版盒,其特征在于,进一步配置一发讯器,且电性连接于该传感器,其中该发讯器具有无线传输的装置。
14.如权利要求1、2或3所述的掩膜版盒,其特征在于,进一步配置至少一气阀于该下盖板,该气阀为一柱状体,从该下盖板的底部贯穿至相对于该底部的该第一内表面,且该气阀向上延伸至该子下盖板并贯穿于该子下盖板至该子第一内表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造