[发明专利]具有传感器的掩膜版盒

说明书

技术领域

本发明涉及用以存放半导体元件或掩膜版的容器，特别是关于一种掩膜版盒，通过配置在掩膜版盒中的感测装置(特别是一种压力传感器)来判断掩膜版盒是否被稳定地固定。

背景技术

近代半导体科技发展迅速，其中光刻技术(Optical Lithography)扮演重要的角色，只要是关于图形(pattern)定义，皆需依赖光刻技术。光刻技术在半导体的应用上，是将设计好的线路制作成具有特定形状可透光的掩膜版。利用曝光原理，则光源通过掩膜版投影至硅片(silicon wafer)可曝光显示特定图案。

产业界的趋势是朝向生产较小的芯片以及/或于较大的晶圆上生产具较高逻辑密度以符合线宽越来越小的芯片。显然地，掩膜版表面能被图样化的精密程度以及这图样能够准确地复制于晶圆表面上的程度，此二者影响着半导体最终产品的质量。图样能被复制于晶圆上的分辨率(resolution)取决于用来投影于涂有光阻剂的晶圆表面上的紫外光波长。现时的光刻器具利用波长为193纳米(nm)的深紫外光(deep ultraviolet light；DUV)，其允许具100nm等级的最小特征尺寸。目前已发展的器材利用157nm的远紫外光(extreme ultraviolet light；EUV)，使得特征尺寸的分辨率小于70nm。

因此避免掩膜版表面受到污染物的污染是很重要的，该污染物能够造成表面的伤害或者使得在过程中投影到光刻胶的图样失真(distort)，因此导致不良质量的最终产品。传统的掩膜版表面具有一层薄、光学透明的薄膜，并依附支撑于一框架，并附着于掩膜版上。其目的在于密封外来污染物以及减少可能由迁移至图案样版的污染物所引起的印痕缺陷。然而，极远紫外光利用来自图样化表面的反射，与深紫外光光刻利用传输的掩膜版特性相反。目前，传统技术尚无法提供远紫外光穿透的薄膜材料。因此，使用于远紫外光光刻中的反射式掩膜版较传统光刻中使用的掩膜版容易受到更大程度的污染与伤害。这情形对于预定用于远紫外光光刻，用以接收、储存、运输及装运晶圆的任何容器，增加了功能上强化的要求。

因此，为了减少在储存、制造、运输期间所产生的污染，在现有技术已发展的隔绝技术，是以一内部容器来承载掩膜版，并再以一外部容器将内部容器固定于其中的掩膜版盒，请参考图6。如图6所示，通过一内部容器的下盖c与内部容器之上盖d将掩膜版e盖合并固定于其中，之后再以一外部容器的下盖a与外部容器之上盖b将内部容器盖合并固定于其中。在远紫外光的曝光工艺中，需于曝光设备中将内部容器自外部容器取出，之后再将掩膜版自内部容器取出以进行曝光。因此，在进行曝光工艺期间，内部容器与外部容器是需要被分离或是盖合的；然而，在此曝光工艺期间，操作人员却无法得知非透明的外部容器中是否有内部容器存在，或者是否有无确实已将内部容器盖紧，在此不确定的情况下，很容易导致内部容器脱落或遗失，使得掩膜版损害而造成成本损失。有鉴于此，本发明提供一种具有可以感测外部容器与内部容器间的压力的掩膜版盒。

发明内容

依据上述的说明，本发明的一主要目的是提供一种于外部容器与内部容器间配置压力传感器的掩膜版盒，利用设置于外部容器至内部容器之间的压力传感器来感测，经由与压力传感器电性连接的灯号来判读外部容器是否已固定内部容器。

本发明的另一主要目的，是提供一种于外部容器与内部容器间配置压力传感器的掩膜版盒，利用设置于外部容器至内部容器之间的压力传感器，将内部容器稳固于外部容器中，以避免摇晃及碰撞对掩膜版所产生的损坏。

发明的再另一主要目的，是提供一种于外部容器与内部容器间配置温湿度传感器的掩膜版盒，利用设置于外部容器至内部容器之间的温湿度测量装置来测量掩膜版盒内部的环境状况，避免过高或过低的温湿度污染内部的掩膜版。

基于上述的目的，本发明首先提供一种配置于掩膜版盒内的压力传感器及温湿度测量装置，掩膜版盒由具有一第一内表面的下盖板与一具有第二内表面之上盖板所组成，该下盖板与该上盖板盖合时，第一内表面与第二内表面形成一第一容置空间；位于第一容置空间中配置一具有一子第一内表面的子下盖板与一具有一子第二内表面的子上盖板，该子第一内表面与该子第二内表面形成一第二容置空间；多个压力传感器贯穿于上盖板的外表面至第二内表面的多个贯穿孔，且其感应端位于第二内表面至子上盖板的子外表面之间。