[发明专利]碳化硅半导体结构、器件及其制作方法无效

申请号：	201010251981.9	申请日：	2010-08-02
公开（公告）号：	CN101989615A	公开（公告）日：	2011-03-23
发明（设计）人：	P·A·罗西;S·D·阿瑟;D·M·布朗;K·S·马托查;R·R·劳	申请（专利权）人：	通用电气公司
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司 72001	代理人：	朱海煜;徐予红
地址：	美国***	国省代码：	美国;US
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摘要：
搜索关键词：	碳化硅半导体结构器件及其制作方法
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【权利要求书】：

1.一种碳化硅半导体FET结构(100)，其包括具有第一导电类型的漂移层(112)、在所述漂移层内具有第二导电类型的离子注入基底或屏蔽结构、在所述基底或屏蔽结构(116)内的第一导电类型的离子注入沟道(118)和覆盖在所述基底或屏蔽结构(116)的至少一部分上面的第二导电类型的离子注入表面层(120)。

2.如权利要求1所述的碳化硅半导体结构，其中所述基底或屏蔽层包括从大约2×10¹³cm^-2到大约2×10¹⁴cm^-2的掺杂剂密度。

3.如权利要求1所述的碳化硅半导体结构，其中在所述基底或屏蔽层和/或所述表面层中利用的掺杂剂包括铝或硼。

4.如权利要求1所述的碳化硅半导体结构，其中所述沟道包括从大约1×10¹¹cm^-2到大约8×10¹²cm^-2(atoms/cm²)的掺杂剂浓度。

5.如权利要求1所述的碳化硅半导体结构，其中在所述离子注入n掺杂沟道中利用的掺杂剂包括磷或氮。

6.一种碳化硅半导体器件(200)，包括：

具有第一导电类型并且具有上表面的漂移层(212)；

结构，其包括具有第二导电类型的在所述漂移层(212)内的离子注入基底或屏蔽结构(216)、在所述基底或屏蔽结构(216)内的第一导电类型的离子注入沟道(218)和覆盖在所述基底或屏蔽结构(216)的至少一部分上面的第二导电类型的离子注入表面层(220)；

位于所述表面层(220)的一部分上的电介质(228)；

覆盖在所述电介质(228)的至少一部分上面的栅极导体(222)；以及

至少与所述沟道接触的源极接触和漏极接触。

7.如权利要求6所述的碳化硅半导体器件，其具有大于大约3伏特的阈值电压。

8.如权利要求6所述的碳化硅半导体器件，其中所述器件能够采用埋沟或反型模式工作，并且其中可以调整常截止阈值电压相比跨导。