[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括垂直延伸MOS晶体管区，所述衬底具有第一导电类型；

在垂直延伸MOS晶体管区的衬底内形成漏轻掺杂区；

在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构的一侧覆盖部分的漏轻掺杂区；

以所述栅极结构为掩膜，对漏轻掺杂区和衬底进行第二导电类型离子注入，形成漏重掺杂区和源重掺杂区。

2.如权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层、位于所述栅介质层上的栅电极层及位于所述栅电极层和栅介质层两侧的侧墙。

3.如权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述漏轻掺杂区的形成方法包括：在所述衬底上形成光刻胶图形，所述光刻胶图形与漏轻掺杂区位置对应；以所述光刻胶图形为掩膜，对所述衬底进行离子注入，形成漏轻掺杂区；对所述漏轻掺杂区进行退火。

4.如权利要求3所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述退火为炉管高温推进。

5.如权利要求4所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述炉管高温推进的温度为800℃～1200℃，推进时间为50min～100min。

6.如权利要求3所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述衬底还包括其他类型器件，在对所述漏轻掺杂区退火之后，还包括在其他类型器件区域进行调节阈值电压的离子注入工艺。

7.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的栅极结构；位于所述栅极结构一侧衬底内的源掺杂区、及位于所述栅极结构另一侧衬底内的漏轻掺杂区及漏重掺杂区；其中，所述漏重掺杂区位于所述漏轻掺杂区内，所述栅极结构的一侧覆盖部分的漏轻掺杂区。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括垂直延伸MOS晶体管区，所述衬底具有第一导电类型；

在垂直延伸MOS晶体管区的衬底内形成漏轻掺杂区和源轻掺杂区；

在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构的两侧分别覆盖有部分的漏轻掺杂区和部分的源极轻掺杂区；

以所述栅极结构为掩膜，分别对漏轻掺杂区和源重掺杂区进行第二导电类型离子注入，形成漏重掺杂区和源重掺杂区。

9.如权利要求8所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述栅极结构包括有栅介质层、位于所述栅介质层上的栅电极层及位于所述栅电极层两侧的侧墙。

10.如权利要求8所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述漏轻掺杂区和源轻掺杂区的形成方法为：在所述衬底上形成光刻胶图形，所述光刻胶图形与漏轻掺杂区位置和源轻掺杂区位置对应；以所述光刻胶图形为掩膜，对所述衬底进行离子注入，形成漏轻掺杂区和源轻掺杂区；并对所述漏轻掺杂区和源轻掺杂区进行退火。

11.如权利要求10所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述退火为炉管高温推进。

12.如权利要求11所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述炉管高温推进的温度为800℃～1200℃，推进时间为50min～100min。

13.如权利要求10所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述衬底还包括其他类型器件，在对所述漏轻掺杂区和和源轻掺杂区炉管高温推进之后，还包括在其他类型器件区域进行阈值电压调节的离子注入工艺。

14.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，及位于所述衬底上的栅极结构；位于所述栅极结构一侧的衬底内的源轻掺杂区及源重掺杂区、及位于所述栅极结构另一侧衬底内的漏轻掺杂区及漏重掺杂区；其中，所述源重掺杂区位于源轻掺杂区内，所述漏重掺杂区位于所述漏轻掺杂区内，所述栅极结构的两侧分别覆盖有部分的源轻掺杂区和部分的漏轻掺杂区。