[发明专利]半导体器件和围绕管芯周边形成坝材料以减小翘曲的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有用于第一半导体管芯的指定区域的临时载体；

在用于第一半导体管芯的指定区域周围的临时载体上沉积坝材料；

安装第一半导体管芯，并且它的有源表面面向所述临时载体上的指定区域；

在第一半导体管芯和所述临时载体上沉积密封剂，所述坝材料被选择为具有与密封剂的热膨胀系数(CTE)相对应的热膨胀系数(CTE)；

除去所述临时载体以暴露密封剂的第一侧和第一半导体管芯的有源表面；以及

在密封剂的第一侧上形成第一互连结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中坝材料的CTE等于或小于密封剂的CTE。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括在第一半导体管芯上形成屏蔽层。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括形成直到密封剂的顶表面的坝材料。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括在密封剂和第一半导体管芯上安装热沉。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在与第一半导体管芯的有源表面相对的第一半导体管芯的后表面上形成第二互连结构；

在第一和第二互连结构之间形成导电柱；以及

将第二半导体管芯安装到第二互连结构。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

安装第一半导体管芯使得第一半导体的一部分由所述坝材料支撑；以及

在第一半导体管芯上的接触焊盘和第一互连结构之间形成凸块。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有用于第一半导体部件的指定区域的载体；

在用于第一半导体部件的指定区域周围的载体上沉积坝材料；

将第一半导体部件安装到所述载体上的指定区域；

在第一半导体部件和临时载体上沉积密封剂；

除去所述载体；以及

在密封剂上形成第一互连结构。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述坝材料的热膨胀系数(CTE)等于或小于密封剂的CTE。

10.如权利要求8所述的方法，进一步包括在第一半导体部件上形成屏蔽层。

11.如权利要求8所述的方法，进一步包括形成直到密封剂的顶表面的坝材料。

12.如权利要求8所述的方法，进一步包括在密封剂和第一半导体部件上安装热沉。

13.如权利要求8所述的方法，进一步包括：

在第一半导体部件上形成第二互连结构；以及

将第二半导体部件安装到第二互连结构。

14.如权利要求8所述的方法，进一步包括：

安装第一半导体部件使得第一半导体的一部分由所述坝材料支撑；以及

在第一半导体部件上的接触焊盘和第一互连结构之间形成凸块。

15.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供第一半导体部件；

围绕第一半导体部件的周边沉积坝材料；

在第一半导体部件上沉积密封剂，所述坝材料被选择为具有与密封剂的热膨胀系数(CTE)相对应的热膨胀系数(CTE)；以及

在密封剂上形成第一互连结构。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述坝材料的CTE等于或小于密封剂的CTE。

17.如权利要求15所述的方法，进一步包括在第一半导体部件的周围形成屏蔽层。

18.如权利要求15所述的方法，进一步包括形成直到密封剂的顶表面的坝材料。

19.如权利要求15所述的方法，进一步包括在密封剂和第一半导体部件上安装热沉。

20.如权利要求15所述的方法，进一步包括：

在第一半导体部件上形成第二互连结构；以及

将第二半导体部件安装到第二互连结构。