[发明专利]芯片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片封装体，包括：

半导体基板，具有至少一接垫区和至少一元件区，其中该半导体基板于该接垫区内包括多个重掺杂区，且两重掺杂区之间被予以绝缘隔离；

多个导电垫结构，设置于该接垫区上；

至少一开口，位于该芯片封装体的侧壁处并暴露出该些重掺杂区；以及

导电图案，位于该开口内并电性接触该些重掺杂区。

2.如权利要求1所述的芯片封装体，其中两重掺杂区之间通过一绝缘壁隔离。

3.如权利要求2所述的芯片封装体，其中该半导体基板为一绝缘层上有硅基板，而该半导体基板中还包括一绝缘层，且该绝缘壁延伸至该绝缘层，且该绝缘层延伸至该些开口的底部或侧壁。

4.如权利要求1所述的芯片封装体，其中该导电图案深入该些重掺杂区。

5.如权利要求1所述的芯片封装体，其中该半导体基板包括第一表面及相反的第二表面，该些导电垫结构位于该第一表面侧，而该些开口自该第二表面形成。

6.如权利要求1所述的芯片封装体，其中该重掺杂区宽于该导电垫结构。

7.如权利要求1所述的芯片封装体，其中该半导体基板向内凹陷，该导电图案与该半导体基板之间由一绝缘层所隔离，该开口则邻接该绝缘层。

8.如权利要求1所述的芯片封装体，还包括：

封装层，覆盖该半导体基板；以及

间隔层，设置于该封装层与该半导体基板之间。

9.如权利要求1所述的芯片封装体，还包括一保护层以填入该开口并覆盖该导电图案。

10.一种芯片封装体的制造方法，包括：

提供一半导体晶片，其限定有多个切割区、接垫区和元件区；

实施一离子掺杂步骤，以于该些接垫区内形成多个重掺杂区；

形成多个导电垫结构于该些接垫区上，其中该些导电垫结构对应该些重掺杂区；

沿该些切割区形成多个开口以暴露出该些重掺杂区；及

在该些开口中形成一导电图案以电性接触该些重掺杂区。

11.如权利要求10所述的芯片封装体的制造方法，还包括沿该些切割区切割该半导体晶片以分割出多个包括半导体基板的芯片封装体。

12.如权利要求10所述的芯片封装体的制造方法，还包括在两重掺杂区之间形成一绝缘壁而予以隔离。

13.如权利要求12所述的芯片封装体的制造方法，其中该半导体晶片为一绝缘层上有硅基板，而该半导体晶片中还包括形成一绝缘层，且该绝缘壁延伸至该绝缘层，且该绝缘层延伸至该些开口的底部或侧壁。

14.如权利要求10所述的芯片封装体的制造方法，其中该导电图案深入该些重掺杂区。

15.如权利要求11所述的芯片封装体的制造方法，其中该半导体晶片包括一第一表面及相反的第二表面，该些导电垫结构位于该第一表面侧，而该些开口自该第二表面形成。

16.如权利要求15所述的芯片封装体的制造方法，其还包括：

自该第二表面处凹陷该些半导体基板；

形成一绝缘层以包覆该些半导体基板；

沿该切割区自该第二表面处移除该绝缘层的一部分，以形成该些开口；及

形成该导电图案于该些开口内。

17.如权利要求16所述的芯片封装体的制造方法，其中该绝缘层的一部分是通过光刻制作工艺或切割刀移除。

18.如权利要求10所述的芯片封装体的制造方法，还包括：

封装层，覆盖该半导体晶片，且该些开口由一保护层所覆盖；以及

间隔层设置于该封装层与该半导体晶片之间。

19.如权利要求18所述的芯片封装体的制造方法，还包括一间隙形成于该封装层与该半导体晶片之间，且其中该间隙被该间隔层所围绕。

20.如权利要求10所述的芯片封装体的制造方法，其中该重掺杂区宽于该导电垫结构。