[发明专利]芯片封装体及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种芯片封装体，特别是涉及一种晶片级芯片封装体及其制造方法。

背景技术

目前业界针对芯片的封装已发展出一种晶片级封装技术，在晶片级封装完成之后，再进行切割步骤，以分离形成芯片封装体。其中芯片封装体内的重布线路图案以和金属接垫直接接触为主，因此，在重布线路图案的制作工艺上，必须配合金属接垫的设计。

因此，业界亟需一种新颖的芯片封装体及其制作方法，以克服上述问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明实施例提供一种芯片封装体，其包括：一半导体基板，具有至少一接垫区和至少一元件区，其中半导体基板于接垫区内包括多个重掺杂区，且两重掺杂区之间被子以绝缘隔离；多个导电垫结构，设置于接垫区上；至少一开口，位于芯片封装体的侧壁处并暴露出该些重掺杂区；及一导电图案，位于开口内并电性接触该些重掺杂区。

此外，本发明的另一实施例还提供一种芯片封装体的制造方法，包括：提供一半导体晶片，其限定有多个切割区和多个基板，每个基板包括至少一接垫区和元件区；实施一离子掺杂步骤，以在半导体晶片的接垫区内形成多个重掺杂区；形成多个导电垫结构于该些接垫区上，其中该些导电垫结构对应该些重掺杂区；沿该些切割区形成多个开口以暴露出该些重掺杂区；及于该些开口中形成一导电图案以电性接触该些重掺杂区。

为了让本发明的上述目的、特征、及优点能更明显易懂，以下配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1-图2是显示依据本发明的一实施例中，形成半导体芯片的制造方法的剖面示意图；

图3A-图3F是显示依据本发明的另一实施例中，形成芯片封装体的制造方法的剖面示意图；

图4A-图4F是显示依据本发明的另一实施例中，形成芯片封装体的制造方法的剖面示意图。

主要元件符号说明

半导体晶片300；绝缘层301；元件区100A；周边接垫区100B；绝缘壁305；半导体元件302；导电垫结构304；封装层500；间隔层310；间隙316；开口300c、300h；绝缘层320；重布线路图案330；保护层340；焊球下金属层345；导电凸块350。

具体实施方式

以下以实施例并配合附图详细说明本发明，在附图或说明书描述中，相似或相同的部分是使用相同的图号。且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，以简化或是方便标示。再者，附图中各元件的部分将以描述说明之，值得注意的是，图中未绘示或描述的元件，为所属技术领域中具有通常知识者所知的形式。另外，特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式，其并非用以限定本发明。

本发明是以一制作CMOS影像感测芯片封装体为例，然而微机电芯片封装体(MEMS chip package)或其他半导体芯片也可适用。亦即，可以了解的是，在本发明的芯片封装体的实施例中，其可应用于各种包含有源元件或无源元件(active or passive elements)、数字电路或模拟电路(digital or analogcircuits)等集成电路的电子元件(electronic components)，例如是有关于光电元件(opto electronic devices)、微机电系统(Micro Electro Mechanical System；MEMS)、微流体系统(micro fluidic systems)、或利用热、光线及压力等物理量变化来测量的物理感测器(Physical Sensor)，或是CMOS影像感测器等。特别是可选择使用晶片级封装(wafer scale package；WSP)制作工艺对影像感测元件、发光二极管(light-emitting diodes；LEDs)、太阳能电池(solar cells)、射频元件(RF circuits)、加速计(accelerators)、陀螺仪(gyroscopes)、微制动器(micro actuators)、表面声波元件(surface acoustic wave devices)、压力感测器(process sensors)或喷墨头(ink printer heads)等芯片进行封装。