[发明专利]一种改善DKDP晶体普克尔盒性能的方法无效
| 申请号： | 201010254484.4 | 申请日： | 2010-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101976798A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 李宇飞;褚宏伟;于正刚;刘学勇 | 申请（专利权）人： | 山东大学;山东明顺光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/115 | 分类号： | H01S3/115;G02F1/03 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 于冠军 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 dkdp 晶体 克尔 性能 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善DKDP晶体普克尔盒性能的方法，其特征是：在电光晶体的两端除了分别设有一个环状主电极以外，再分别增设一个环状辅助电极，使晶体的每一端均带有一个主电极和一个辅助电极，辅助电极在主电极与电光晶体端面之间，并且辅助电极与主电极隔开，晶体每端的辅助电极与主电极之间以及两个辅助电极之间均设有分压电阻，这样当主电极之间加上电压V时，通过分压电阻实现在主电极与辅助电极之间加上一个辅助电压，利用环状电极的电压特性，辅助电极产生的电压会弥补双电极晶体端面电压的不均性。
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