[发明专利]一种改善DKDP晶体普克尔盒性能的方法

说明书

技术领域

本发明涉及用多电极改善DKDP电光晶体普克尔盒性能的方法，属于电光开关技术领域。

背景技术

DKDP电光晶体(以下称晶体)在作普克尔盒使用时，一般使用一对环状电极，将这对电极称为主电极，如图1所示，在晶体1的两端各设有一个环状的主电极2。图1所示坐标系Z轴为通光方向，在两个主电极2之间加上电压V，当一束偏振方向与X轴或Y轴方向平行的线偏振光射入晶体1后，这束线偏振光可分解成两束相互垂直的线偏振光，由晶体的特性可知，这两束光通过晶体1时产生的相位延迟为：

Δφ=2πλno3γ63V---(1)]]>

式中n_o为o光折射率；γ₆₃为晶体纵向电光系数；V为晶体两端所加电压；λ为线偏振光的波长。当Δφ＝π/2或π时所加电压V分别称为1/4波电压V_λ/4和半波电压V_λ/2。

假设主电极2为薄层金属，径向厚度为零，主电极2的宽度为a，两主电极加电压V后面电荷密度分别是σ和-σ，则晶体1内任意一点的电势为：

U(x,y,z)=σ4πϵ∫02π∫-L2-L2+a1(x-Rcos(φ))2+(y-Rsin(φ))2+(z-z1)2dz1dφ-∫02π∫L2-aL21(x-Rcos(φ))2+(y-Rsin(φ))2+(z-z1)2dz1dφ---(2)]]>