[发明专利]集成电路装置及封装组件

权利要求书

1.一种集成电路装置，包括：

一半导体基板；

一第一凸块底金属层，形成于该半导体基板之上；

一第二凸块底金属层，形成于该第一凸块底金属层之上，具有一侧面；

一导电柱，形成于该第二凸块底金属层之上，具有一侧面与一顶面；以及

一保护结构，形成于该导电柱的该侧面与该第二凸块底金属层的该侧面之上；

其中该保护结构由一非金属材料所形成，而该导电柱由一含铜层所形成。

2.如权利要求1所述的集成电路装置，其中该保护结构包括一介电层、一聚合物层、一氮化硅层、一聚亚酰胺层或上述膜层的组合。

3.如权利要求1所述的集成电路装置，其中该第一凸块底金属层包括未为该第二凸块底金属层所覆盖的一周围表面，其中该保护结构形成于该第一凸块底金属层的该周围表面之上。

4.如权利要求1所述的集成电路装置，还包括一阻障层，形成于该导电柱与该保护结构之间，其中该阻障层为包括锗的一含铜材料层，其中该阻障层形成于该导电柱的该顶面之上。

5.如权利要求1所述的集成电路装置，还包括一上盖层，位于该导电柱的该顶面之上，其中该上盖层包括位于该导电柱之上的一镍层与位于该镍层上的一金层，其中该保护结构覆盖了至少该上盖层的该侧面的一部。

6.如权利要求1所述的集成电路装置，其中该第一凸块底金属膜层包括钛，而该第二凸块底金属层包括铜。

7.一种集成电路装置，包括：

一半导体基板；

一凸块结构，形成于该半导体基板之上；以及

一非金属的保护结构，覆盖至少该凸块结构的侧壁的一部；

其中该凸块结构包括形成于该半导体基板之上的一凸块底金属层以及形成于该凸块底金属层之上的一铜柱。

8.如权利要求7所述的集成电路装置，其中该非金属的保护结构包括一氮化硅层、一聚合物层或上述膜层的组合。

9.如权利要求7所述的集成电路装置，还包括一阻障层，形成于该凸块结构与该非金属的保护结构之间，其中该阻障层包括铜与锗。

10.一种封装组件，包括：

一第一基板；

一凸块结构，形成于该第一基板之上，其中该凸块结构包括形成于该第一基板之上的一凸块底金属层以及形成于该凸块底金属层之上的一铜柱；

一非金属的保护结构，覆盖至少该凸块结构的侧壁的一部，其中该非金属的保护结构包括一氮化硅层、一聚合物层或上述膜层的组合；

一第二基板；以及

一接合焊锡层，形成于该第二基板与该凸块结构之间。